一、功能概述
设备操作模式区分：采用直流四探针检测方式，区别纯手动下压机型、全自动 XY 走点探针台；样品由人工摆放移位定位测点，Z 轴探头电动自动升降下压，探针压力、下压行程可设定，弱化人工施压差异带来的数据波动。
FT-3120B半自动四探针测试仪
恒流采集配置：搭载步进驱动系统实现探针恒压接触，设备可自动切换正向、反向电流并同步采集双向电压，可测算方块电阻、体积电阻率、电导率、薄膜厚度；配套压力检测组件，探针压力调节区间 100-500g，匹配通用检测规范。
自动化测试流程：支持单点定位检测、手动切换多点面电阻检测两种工况，手动测试一键下压、检测完成自动抬升；搭配荷载块维持探针稳定接触，设置 Z 轴机械限位、软限位、过流、探头短路、时抬升多重防护，规避薄膜划伤问题。
数据与校准配套：配套 PC 程序完成数据存储、统计、导出、报表生成；可搭配标准校准电阻片完成整机数值校验，适配通用材料电学检测规范。
二、工作原理
FT-3120B半自动四探针测试仪
■ 基础检测逻辑：遵循直流四探针基础原理，外侧两根探针通入恒定电流，内侧探针采集样品电位差，设备结合试样厚度尺寸自动换算方块电阻、体积电阻率、电导率数值。
■ 电动探针驱动结构：电机带动探针上下移动，下压速度、保持时长、抬升高度均可自定义，探针压力连续可调，搭配上下限位结构，减少薄脆样品表面损伤。
■ 误差优化机制：采用双向电流交替采集模式，抵消热电势带来的数值偏移；统一可控探针压力，稳定电极与样品接触状态，测试数据均衡度。
三、适用范围
◆ 适配检测物料品类
半导体基材：硅片、锗片、外延片、扩散层、太阳能硅片、选择性发射极、钝化衬底、PN 结扩散片
透明导电膜：ITO、IZO、FTO 导电玻璃、钙钛矿电极薄膜
金属薄层：蒸镀铝膜、铜箔、各金属合金薄膜
功能涂层：导电漆、导电胶、EMI 屏蔽涂层、防静电薄膜
复合导电材料：导电橡胶、导电塑料、导电陶瓷、石墨薄片
特殊新材料：铁电材料、纳米材料、LCD/OLED/ 触摸屏导电层
◆ 应用场景说明
适配薄层导电材料、半导体晶圆、导电涂层、金属薄膜、导电复合材料电学性能检测，可供新材料研发实验室、光伏产线、显示行业、电子制造品控部门开展来料核验、配方对比、成品性能检测。
四、参照标准
▶ GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
▶ GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
▶ GB/T 33973-2017 透明导电氧化物薄膜方块电阻测试方法
▶ SEMI MF0084 硅片直排四探针电阻率测试
▶ ASTM F390 金属薄层方块电阻测试方法
五、参数资料
FT-3120B半自动四探针测试仪
电阻测量区间：10⁻⁵～2×10⁵Ω，可拓展量程 10⁻⁶～2×10⁵Ω/□、10⁻⁴～10⁷Ω/□
方块电阻测量区间：10⁻⁵～2×10⁵Ω/□
电阻率测量区间：10⁻⁵～2×10⁵Ω・cm
可选测试电流档位：0.1μA、1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
电流波动控制：±0.1%
电阻数值波动：标准电阻校验条件下≤0.3%
PC 软件配套功能：界面可展示电阻、方块电阻、电阻率、电导率、温度、电流、电压、探针规格、试样厚度；支持单位换算、实时数据显示、多点记录、均值 / 方差 / 变异系数统计、样品编号、测试点数统计、Excel 数据导出，配备中英文操作界面
探针压力调节区间：100-550g，可根据试样工况调整
探针硬件指标：针间绝缘电阻≥1000MΩ，机械游移率≤0.3%；标配圆头铜镀金、钨钢材质，探针间距可选 1mm/2mm/3mm，非标规格可定制
适配试样尺寸：圆形晶圆 2-6 寸；方形试样 156mm×156mm
分析运行模式：自动单点、手动单点可选，单次测量耗时 1～3s
测试重复波动：≤3%
设备防护配置：搭载限位、压力过载双重保护机制
适宜测试环境：常规实验室环境
供电规格：AC 220V±10%，50Hz，整机功耗低于 100W
✅ 标准配置清单
✦ FT-3120B 四探针测试仪主机
✦ 电动 Z 轴升降探针台 + 标准间距四探针组件
✦ 配套压力荷载块、压力检测模块
✦ 设备通讯连接线、标准校准电阻片
✦ 产品说明书、出厂合格证、PC 软件安装操作手册
✅ 选购配件及增值服务清单
涵盖仪器标准配置之外，可个性化增购的备件、耗材与技术服务项目：
■出口项目：建议同步增购备件耗材，储备量 3–5 年使用，应对海外供货周期长等问题。
■高频使用场景：建议备货 1–5 组易损件与耗材，及时替换，保障持续生产 / 检测。
■一站式配套服务：仪器下单时同步选购，简化采购流程、降低综合成本，
可选原厂代理计量、延保维保、技术升级、性能验证、样品测试等服务
