技术参数霍尼韦尔LVDT系列长行程位移传感器
特性：
DLB型DC-DC长行程位移传感器，带有自由无引导电枢。范围从±0.5英寸到±8.0英寸，非线性度为±0.25％FS''
•±0.25％非线性
•±12.7 mm至±203,2 mm [±0.5 in至±8 in]
•低电压要求
•易于操作
•不锈钢结构
•反极性保护
•单或双电源线（现场可选）
•无限分辨率
•自由无引导电枢
•不符合RoHS标准
行程范围±12,7 mm至203,2 mm
[±0.5 in至8.0 in]
非线性（大）±0.25％满量程
输出负载（小）2000欧姆
输出阻抗为2欧姆
输出灵敏度±2 Vdc（标称值）
隔离1000 V输入到输出
极性输出向外冲程呈阳性
环境指标
特征措施
工作温度-50°C至70°C [-58°F至158°F]
温度效应，
零（大）
0.006％满刻度/°F
温度效应，
跨度（大）
0.017％满刻度/°F
电气规格
特征措施
元件型dc-dc位移传感器
输入供应（可接受），
调控
大5 Vdc @ 100 mA
输入供应（可接受），
不受管制
大值为6 V至18 Vdc @ 100 mA
波峰30 mV峰峰值
电气终端Multiconductor屏蔽电缆
（1.83米[6英尺]）
反极性保护是的
技术参数霍尼韦尔LVDT系列长行程位移传感器
