公司理念
经营理念：诚信、敬业、*。
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；
封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为*战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区放大区2和击穿特性3部分。
在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线。*栅源电压受*漏极电流限制，其*值一般取为15V左右。动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。
随着电力资源的日趋紧张，和企业都越来越重视环保与节能产品的开发和推广，同步电机在注塑机上的应用将成为趋势。交流异步电动机以其结构简单、价格便宜、适应各种工业条件等优点，被广泛应用于工业生产各个领域。变频器的出现，打破了异步电机无法进行无级调速的局面，改善了其使用效果。但是变频调速仍受限于异步电动机的效率低、低速运转时转矩变小、谐波损耗大、速度变动率大、动态性能不佳等缺点。而且异步电机的效率低。功率因素小，低速发热等问题仍然无法改善。伺服电机(servomotor)，又称执行电机，是指在伺服系统中控制机械元件运转的发动机，是一种补助马达间接变速装置。它可以使控制速度、位置精度非常准确，可以将电压信号转化为转矩和转速以驱动控制对象。
伺服电机可以分为直流伺服电机和交流伺服电机。它可以用于对成本敏感的普通工业和民用场合。交流伺服电机也是由定子和转子构成。它的定子的构造基本上与电容分相式单相异步电动机相似，其定子上装有两个位置互差90°的绕组，一个是励磁绕组Rf，它始终接在交流电压Uf上;另一个是控制绕组L，联接控制信号电压Uc。所以交流伺服电动机又称两个伺服电动机。交流伺服电动机的转子通常做成鼠笼式。但为了使伺服电动机具有较宽的调速范围、线性的机械特性，无“自转”现象和快速响应的性能，它与普通电动机相比，应具有转子电阻大和转动惯量小这两个特点。交流伺服电机的工作原理与两相异步电机相似。但是由于它在数控机床中作为执行元件，将交流电信号转换为轴上的角位移或角速度。
所以要求转子速度的快慢能够反映控制信号的相位，无控制信号时它不转动。由于定子上的两个绕组在空间相差90°电角度，如果在两相绕组上加以幅值相等、相位差90°电角度的对称电压，则在电机的气隙中产生圆形的旋转磁场。若两个电压的幅值不等或相位不为90°电角度，则产生的磁场将是一个椭圆形旋转磁场。加在控制绕组上的信号不同，产生的磁场椭圆度也不同。伺服电机内部的转子是永磁铁，驱动器控制的U/V/W三相电形成电磁场，转子在此磁场的作用下转动，同时电机自带的编码器反馈信号给驱动器，驱动器根据反馈值与目标值进行比较，调整转子转动的角度。随着*经济的腾飞，也带动不少*行业。比如，自动化机械乃至智能化设备。这些行业的核心动力就是伺服电机。
IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT电流的主要部分。此时，式中Uj1——JI结的正向电压，其值为0.7～1V；Udr——扩展电阻Rdr上的压降；Roh——沟道电阻。式中Imos——流过MOSFET的电流。由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和。
