ABB07AC91,GJR5252300R0101

发布时间:2019-12-11
 带纠错码(ECC)的SLCNAND闪存可提供10万次写入/擦除周期,及10年的数据保持期;带ECC的MLCNAND闪存可提供3000-1万次写入/擦除周期;TLCNAND闪存提供250-500次写入/擦除周期。
    存储于云和数据中心不断增长的数据量已使传统的存储技术成为数据访问的瓶颈。如今,SSD已占据主导地位。
    QLCNAND闪存于2011年面世。开发商包括英特尔公司、美光科技公司、三星、美国晟碟及东芝。

    非SLC技术的自身特性无疑不能满足企业应用的要求。而现在出现了一些新的数字信号处理(DSP)、ECC和写入波形方法,使这些高密度技术可以用于企业级存储。开发商们正各自致力于研究这些技术,主要是针对固件,以支持不同供应商的闪存核心,而解决方案正在逐步进入市场。

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