BANNER邦纳S18SP6FF50Q传感器的技术要求
SLPCP14-410
SLPCP14-690P88
QDE-850D
LS2HDE30-600Q8
LS2HDTR30-600Q8
QS186EQ5
SMI912FQD
QS18VP6DQ8
QS30LLP
T30UXIA
产品介绍：
同轴光纤传感器，以单根单模光纤作为发射光纤
光纤在单模光纤的同一周，单模光纤的孔径和芯
径小于所述多模光纤，本发明抗干扰能力强、体
，以多根多模光纤作为接收光纤，单模光纤位于
光纤的孔径和芯径有多种规格，同种规格的多模
积小、接收能力强，且具有补偿功能，适合狭小
中心，接收光纤环绕于单模光纤周围，所述多模
空间以及恶劣环境下的测量结果。
SM312DQD
SM312LVQD
QS186EBQ5
QS18VP6RBQ5
79979 MQDC-1210 530
74028 MQDC-1210RA 1562
74174 MQDC-1210ST 1478
73709 MQDC-1230RA 2184
74029 MQDC-1230ST 2242
79661 MQDC-1280ST 6149
71038 MQDC1-501.5 117
51127 MQDC1-506 223
构造说明：
同轴电缆传感器,包括:传感单元和调制解调仪,所述
电缆的至少一端与所述调制解调仪相连。通过上
述方式,本发明同轴电缆传感器抗干扰能力强、屏
传感单元包括同轴电缆、金属针和封装套管。所
所述绝缘塑料保护套管之间。所述绝缘塑料保护
套管的中段设置有至少两个开口,所述封装套管套
述同轴电缆包括内导体、外导体屏蔽层和绝缘塑
料保护套管,所述外导体屏蔽层位于所述内导体和
设在所述绝缘塑料保护套管的中段上,所述金属针
与所述内导体和外导体屏蔽层相连接。所述同轴
、适用性好、稳定性好、填补了利用同轴电缆实
蔽性能好、传输数据稳定、灵敏度高、分辨力强
现法布里‑珀罗腔传感器的空白。
型号：
Q85BB62LP-B
51128 MQDC1-506RA 233
74889 MQDC1-510 245
47812 MQDC1-515 268
47813 MQDC1-515RA 268
47814 MQDC1-530 423
QS18VP6RQ5
QS18VP6DQ5
SME312FPQD
PDIS 46UHFM12
Q45BB6DX
T30AW3FF600Q1
QMT42VP6AFV400Q
28759 MQ3X-05-PJ 900
28760 MQ3X-05-PP 872
28758 MQ3X-05-PT 630
28749 MQ3X-1206-IC 1329
28754 MQ3X-1206-PC 1090
28750 MQ3X-1215-IC 1709
28761 MQ3X-1215-PB 3180
BRT-50D
SLM50P6Q
OTBVP6QD
MBCC-430
MSXLR2024Y
QDC-550C
QDC-515C
28755 MQ3X-1215-PC 1584
28762 MQ3X-1215-PI 1827
28765 MQ3X-1215-PO 1796
28751 MQ3X-1230-IC 2354
28756 MQ3X-1230-PC 2096
28764 MQ3X-1230-PI 2263
28766 MQ3X-1230-PO 2237
28748 MQ3X-12-J 452
QS18VN6LAF
QS18VP6LAF
M18SP6DLQ
QS18VN6LAF
QS30VR3LP
T18SN6FF100Q
11424 MQDC2S-1275 3420
70975 MQDC2S-806 399
54616 MQDC2S-806RA 481
70976 MQDC2S-815 481
54617 MQDC2S-815RA 692
QS18VN6LPQ8
CM5RA
Obtvp6
DS18AP6LPQ8
T30UINB
QS18VP6LVQ5
QS18VP6LAFQ5
70977 MQDC2S-830 588
81538 MQDC2S-850 1025
45137 MQDC-306 233
47105 MQDC-306RA 233
26849 MQDC-315 268
QH23SP6DL
MSXLE2024Y
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