CHA3666-FAB产品介绍
CHA3666-FAB由深圳市立年电子科技有限公司代理销售，CHA3666-FAB为两级自偏置宽带单片低噪声放大器。该电路采用标准制造pHEMT工艺：0.25µm栅极长度，通过穿过基板的孔，气桥和电子束栅极光刻。建议在无铅表面贴装中使用密封金属陶瓷6x6mm²封装。整体电源为4V / 80mA。该电路于太空应用并且也非常适合广泛的微波和毫米波应用和系统。
CHA3666-FA主要特点
宽带性能6-16GHz
1.8dB典型噪声系数
24dBm三阶拦截点
1dB压缩时16dBm功率
21dB增益
低直流功耗
6x6mm²金属陶瓷密封包装
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