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IEC6364标准规定，2类场所内用于维持生命或外科手术的电器设备，额定电压过AC25V或DC6V的设备，必须使用带绝缘监视仪的IT电源系统。绝缘监视仪安装在IT系统和大地之间，IT系统发生接地时，绝缘监视仪立刻发出报警信号，通知操作人员系统已经带故障运行，必须尽快找出故障，以便在发生第二点接地之前排除故障。对于2类场所的IT系统内安装的绝缘监视仪，除了必须符合绝缘监视仪的通用规范IEC61557-8标准以外，还必须符合IEC6364-7-71标准的特殊要求：内部交内阻抗应至少为1k；测试电压不应大于直流25V；即使在故障条件下，其注入的电流的峰值不应大于1mA；迟在绝缘电阻降至5k时，应发出信号。
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介质粘度较大（大于65~1mm2/s）时，可考虑选用转子泵或往复泵（齿轮泵、螺杆泵）介质含气量75%，流量较小且粘度小于37.4mm2/s时，可选用旋涡泵。对启动频繁或灌泵不便的场合，应选用具有自吸性能的泵，如自吸式离心泵、自吸式旋涡泵、气动。泵的选型依据泵选型依据，应根据工艺流程，给排水要求，从五个方面加以考虑，既液体输送量、装置扬程、液体性质、管路布置以及操作运转条件等流量是选泵的重要性能数据，它直接关系到整个装置的的生产能力和输送能力。
A10VSO10DFR1/52L-PKC64N00
A10VSO10DFR1/52L-PPA14N00
A10VSO10DFR1/52L-PSC14N00
A10VSO10DFR1/52L-PSC64N00
A10VSO10DFR1/52L-PUC64N00
A10VSO10DFR1/52R-PKC64N00
A10VSO10DFR1/52R-PKC64N00E
A10VSO10DFR1/52R-PKC64N00-SO857
A10VSO10DFR1/52R-PKC64N00-SO858
A10VSO10DFR1/52R-PPA14N00
A10VSO10DFR1/52R-PPA14N00-S1482
A10VSO10DFR1/52R-PPA14N00-SO857
A10VSO10DFR1/52R-PPA14N00-SO858
A10VSO10DFR1/52R-PSA14N00-S1915
A10VSO10DFR1/52R-PSA14N00-SO 32
A10VSO10DFR1/52R-PSC14N00
A10VSO10DFR1/52R-PSC14N00-SO 32
A10VSO10DFR1/52R-PSC64N00
A10VSO10DFR1/52R-PSC64N00E
A10VSO10DFR1/52R-PSC64N00ES1768
A10VSO10DFR1/52R-PSC64N00-S1768
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A10VSO10DFR1/52R-VPA14N00
A10VSO10DFR1/52R-VUC64N00
A10VSO10DR/52R-PSA14N00-S1482
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A10VSO10DR/52R-PSC64N00
A10VSO10DR/52R-PSC64N00E
A10VSO10DR/52R-PSC64N00-SO858
A10VSO10DR/52R-PSC64N00-SO922
二级反渗透对一级反渗透产水进行抛光处理，二级RO产水的水质可达到4兆欧。在二级RO进水中加碱有4个原因：a.在pH8.2以上，化碳全部转化为碳酸根离子，碳酸根离子可以被反渗透脱除。而化碳本身是一种气体，会随透过液自由进入RO产水，对于下游的离子交换床抛光处理造成不当的负荷。b.某些TOC成分在高pH下更容易脱除。c.化硅的溶解度和脱除率在高pH下更高（特别是高于9时）。d.硼的脱除率在高pH下也较高（特别是高于9时）。
结晶停留时间的影响停留时间为结晶器内结晶盘存量与单位时间产量之比。在结晶器内，结晶颗粒停留时间长，有利于结晶粒子的长大。当结晶器内晶浆固液比一定时，结晶盘存量也一定;因此当单位时间的产量小时，则停留时间就长，从而可获得大颗粒晶体。之，设计中怎样选择和组合系统装置，不能从局部的合理性出发，必须从整体系统的观点去考虑，才能求得整个系统的佳。甜菜碱结晶工艺选择设计条件：进结晶机原料规格：物料含量55%，料浆温度95℃左右，PH约1.5。
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