巴鲁夫BOS30M-GA-1PH-S4-C光电传感器辐射特性

发布时间:2021-04-19

巴鲁夫BOS 30M-GA-1PH-S4-C光电传感器辐射特性

主要特点型号系列30M
尺寸Ø 36 x 89 mm
接口PNP常开触点/常闭触点 (NO/NC)
NPN常开触点/常闭触点 (NO/NC)
功能原理光电传感器
功能原理,光学漫反射型传感器,能量型
辐射特性发散
光线类型红外线型
作用范围200~2000 mm
接口插接器,M12x1公头,4针
外壳材料黄铜, 镀镍
感应面,材料玻璃
工作电压Ub11~30 VDC
许可/一致性CE, cULus, EAC, WEEE

巴鲁夫BOS30M-GA-1PH-S4-C光电传感器辐射特性

巴鲁夫BOS 30M-GA-1PH-S4-C光电传感器辐射特性


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