DSQC365MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。环保节能
任何两块金属导体中间隔以绝缘体就构成了电容器，金属导体称极板绝缘体介质。以介质材料分类，电容器可以分为空气介质电容器、液体介质电容器、无机介质电容器以及电解质电容器等。根据形式的不同，电容器还可以分为固定电容器、可变电容器、半可变电容器。还可按材料、用途不同而进行分类。电容器能储存电荷而产生电场，所以它是储能元件。电容量是电容器的重要参数。它是电容器极板上的带电量Q与电容器两端电压U之比，即C=Q/U式中C-电容，F（法拉）；Q-电量，C（库仑）；U-电压，V（伏）。
分享给大家一个用万用表测量电容容量的方法，方法很简单，既然我们想测电容，所以刚拿出来万用表先来观察下测量电容的档位，需不需要更换表针的位置，小编手里只有下图中的这种万用表，所以只能以下面这款为例了，其实万用表的种类有很多，像下面的第二张图又是一种，但是不同万用表测量方法基本上一样，学会一款基本上都学会了。在上面的那张图片上我们可以看到在表盘的左下角有一个大写的“F”标志，其实它就表示测量电容的档位，是以电容的单位法拉命名的，下一步把表针旋转至大于所测电容容量大小的量程，其实越接近越好，为了便于操作，我们直接使用了万用表的量程，除此之外还需要看下表针的位置需不需要更改，一般黑表笔的位置有固定的标志“COM”,所以我们只需要改变一下红表笔的位置就可以了，而电容的符号为“C”，正好万用表上有一个“Cx”所以我们就可以把红表笔插到这个表孔中。
不同的断路器，N标识的方向也不同——可能在左，也可能在右。在购买断路器时，应购买N接线柱在同一侧的产品——一台配电箱内，不允许既出现左侧N接线柱的断路器，又出现右侧N接线柱的断路器。接线时，将零线接到N接线柱上，无标识的接线柱接火线即可。2P断路器和2P漏电断路器，理论上来说不需要区分零火线——左侧接零线或右侧接零线均可。但如果按照规范操作，则应该参考同一个配电箱内的1P漏电开关和1P+N开关的N接线柱方向，保证2P断路器和2P漏电断路器的零火线顺序与1P+N和1P漏电断路器的零火线顺序相同。
