电学类仪器校准:数字多用表、高压表、功率表、多功能校准仪、交直流电源、绝缘电阻仪、泄漏电流仪、耐电压仪、线材测试机、晶体管图示仪、LCR电桥、插头线综合测试仪、安规综合测试仪、表面电阻仪、防静电仪、电子负载仪、数据采集器、变压器电量测试仪、LED光谱分析系统（积分球）、元件自动分析仪、电池测试系统、带电绕组温升测试仪等。
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光敏电阻是一种特殊的电阻，简称光电阻，又名光导管。常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。
如果采用人员巡逻，利用望远镜进行观察，往往由于可见光波长短，使观察效果不理想，根本不可能做到全天候，这样难免造成漏查、误查和失查。而红外热成像装置是被动接收目标自身的热辐射，和车辆的红外辐射一般都远大于周围草木的红外辐射，很容易被红外热成像仪所察觉。采用*的红外热成像技术来加强边境、口岸监控，将人防和技防相结合，增加边境监控体系的科技含量，限度地减少突袭事件的发生是边防监控系统发展的必然趋势。
光敏电阻器的阻值随入射光线（可见光）的强弱变化而变化，在黑暗条件下，它的阻值（暗阻）可达1~10M欧,在强光条件（100LX）下，它阻值（亮阻）仅有几百至数千欧姆。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。
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所以，熔接前要根据系统使用的光纤和工作波长来选择合适的熔接程序。如没有特殊情况，一般都选用自动熔接程序。制作光纤端面。光纤端面制作的好坏将直接影响接续质量，所以在熔接前一定要做好合格的端面。用的剥线钳剥去涂覆层，再用沾酒精的清洁棉在裸纤上擦拭几次，用力要适度，然后用精密光纤切割刀切割光纤，对0.25mm(外涂层)光纤，切割长度为8mm-16mm，对0.9mm(外涂层)光纤，切割长度只能是16mm。
光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。
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在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子—空穴对了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到波长的光线照射时，电流就会随光强的而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的。
燃料电池技术是被广泛认为是颇具前景的够满足现在和未来环境，以及能源需求的方法。燃料电池可以作为建筑物的热源和电源使用，也可以作为电机的电源。在伦敦大学学(UCL),研究者们正在开发这项技术的商业化应用。为了分析这些系统的性能，他们使用了很多工具，其中就有FLIR红外热像仪。在UCL的电化学创新实验室(EIL)，一支由研究员，教授和工业合作伙伴组成的团队，正在研究使用包括氢燃料电池在内的各种电化学设备进行发电。 stwg139wei
