日本EMIC高精度低磁导率计LP-141A
检查低磁导率材料加工后的微观结构变化。
用于测量低磁导率样品的相对磁导率。
通过将探针应用于低磁导率材料，可以在短时间内测量局部相对磁导率。
用于低磁导率材料的后处理检查。
通过将探针应用于低磁导率材料，可以在短时间内测量局部相对磁导率。
用于低磁导率材料的后处理检查。
(1) 可以在短时间内准确测量低磁导率的材料。
(2) 材料质量控制可以很容易地进行。
(3) 可以进行混合不同材料的试验。
| 测量范围 | 1.001-4 | ||
| 测量范围 | 1.03·1.1·1.3·2.0·4.0（5个范围） | ||
| 准确性 | ± 3% 范围 | ||
| 校准方法 | 附标准试片 | ||
| 输出 | DC 1V / FS（但是，当设置范围 1 时） | ||
| 电源供应 | AC100V ± 10% 50 / 60Hz 约 50VA | ||
| 外形尺寸（mm）/质量 | 260W x 162H x 310D（包括突起）约4kg | ||
检查低磁导率材料加工后的微观结构变化。
用于测量低磁导率样品的相对磁导率。
通过将探针应用于低磁导率材料，可以在短时间内测量局部相对磁导率。
用于低磁导率材料的后处理检查。
通过将探针应用于低磁导率材料，可以在短时间内测量局部相对磁导率。
用于低磁导率材料的后处理检查。
(1) 可以在短时间内准确测量低磁导率的材料。
(2) 材料质量控制可以很容易地进行。
(3) 可以进行混合不同材料的试验。
| 测量范围 | 1.001-4 | ||
| 测量范围 | 1.03·1.1·1.3·2.0·4.0（5个范围） | ||
| 准确性 | ± 3% 范围 | ||
| 校准方法 | 附标准试片 | ||
| 输出 | DC 1V / FS（但是，当设置范围 1 时） | ||
| 电源供应 | AC100V ± 10% 50 / 60Hz 约 50VA | ||
| 外形尺寸（mm）/质量 | 260W x 162H x 310D（包括突起）约4kg | ||
