ABB、GE发那科、AB、FOXBORO、Honeywell，力士乐、KUKA、SEW、施耐德等，三菱、安川、本特利，英维思，伍德沃德，福克斯波罗、西屋、瑞恩、施耐德莫迪康、ABB、AB、西门子、摩托罗拉、安川、博世力士乐，ACSO，力士乐等各大的DCS系统配件，机器人系统配件，大型伺服系统备件。（*停产配件原装进口原厂*，提供报关单，提供质保一年。)
外部存储器我们采用的是pipelined类型的零总线变换（ZBT）SRAM，其读写操作的切换不需要任何等待周期，因而总线利用率可达*。SRAM的数据接口位宽为36 bit，而待写入SRAM的各路数据位宽为9 bit（8 bit数据+1 bit帧包络信息），这样各路数据每4个时钟分别往SRAM写一次36 bit位宽数据即可实现线速存储。为此将SRAM划分为3个独立的存储区，并将读写时隙分配如下：第1个时钟周期可往SRAM的存储1区写EPON上行协议帧，第2个时钟周期可往SRAM的存储2区写EPON下行协议帧，第3个时钟周期可往SRAM的存储3区写统计信息帧和配置确认帧，第4个时钟周期可从SRAM读出数据，从某一块存储区读出完整一帧后即切换到读另一块存储区。
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