A860-2005 FANUC-山西润盛进出口有限责任公司

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因为InP晶圆是被熔合到硅晶圆上的，因此这种方法需要的实际InP面积一般较大，基本上等于硅光子芯片的尺寸。解理面和蚀刻面激光器在这方面就有优势了，因为只有激光腔及其绑定焊盘需要使用昂贵的InP。然而，如果某种开发出来的工艺允许在硅光子晶圆上放置来自InP晶圆的小芯片，那么所用的InP数量将有显著的减少。

蚀刻面激光器(Etchedfacetlasers)

如图1所示，蚀刻面技术(EFT)允许通过高精度光刻技术而不是不的、具有随意性的机械切割方法确定晶面。光刻允许腔体尺寸和面的位置确定在0.1μm之内。其结果就是前所未有的一致性和良率，并且能够搭建出传统技术无法搭建的结构。采用蚀刻面技术后，形成的器件面具有特别高的精度，可以实现与硅基光子的低成本、无源校准。有源校准的精度只需自动化工艺的成本就能达到。

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发布时间：2022-06-17