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电流互感器二次过电压保护器主要用于各种CT二次侧的异常过电压保护。保护器固接于CT二次绕组两端，正常运行时泄漏电流极小，呈高阻状态；当CT二次回路开路或一次绕组出现异常过流时，二次绕组产生的过电压使保护器迅速动作将CT二次侧短路，面板上自动显示故障部位，并有无源接点信号输出。故障排除后，按手动复位按钮，电路恢复原状态后又可重新投入正常运行。
GB6162-85《静态继电器及保护装置的电气干扰试验》
GB7261-87《继电器及继电保护装置基本试验方法》
GB2887-89《计算机站场地技术条件》
GB 14258-93《继电保护和安全自动化装置技术规程》
GB 50062-92《电力装置的继电保护和自动化装置设计规范》
DL/T 527-2002《静态继电保护装置逆变电源技术》
IE870-5-103《继电保护信息接口标准》
GB /T15145-94《微机线路保护装置通用技术条件》
GB/T16435.1-1996《远动设备及系统和接口(电气特征)》
GB /T17626.2《静电放电抗扰度试验》
GB /T17626.3《射频电磁场辐射抗扰度试验》
GB/T17626.4《电快速瞬变脉冲群抗扰度试验》
GB/T17626.5《浪涌冲击抗扰度试验》
GB /T17626.6《射频场感应的传导骚扰抗扰度试验》
GB/T17626.8《工频磁场抗扰度试验》
GB /T17626-1998《电磁兼容试验和测量技术》
GB/T14537-1993《量度继电器和保护装置的冲击与碰撞试验》
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支持RS485、CAN通讯接口与SCADA系统互动，实现无人值守RGP501保护测控装置采用DeviceNet（CAN）现场总线和RS485总线双总线方式。支持标准MODBUS通信规约，将所有运行信息实时发送到上一级SCADA系统。包括遥测、遥信、保护定值、系统参数等。
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同时片内具有128×16位的FLASH存储器和18K×16位的SRAM，以及4K×16位的引导ROM。支持外扩512K×16位的SRAM和512K×16位的FLASH。具有两个事件管理器（EVA、EVB）以及外设中断模块（PIE），支持96个外部中断。HY-CTB-9
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