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兰色段开始变弯曲，斜率逐渐变小。红色段就几乎变成水平了，这就是“饱和”。实际上，饱和是一个渐变的过程，兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。在图中就是假想绿色段继续向上延伸，与Ic=50MA的水平线相交，交点对应的Ib值就是临界饱和的Ib值。图中可见该值约为0.25mA。由图可见，根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
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在这种情况下，验证PA是否会导致发射器出此限制需要工程师在1MHz带宽下测量不同谐波频率下的辐射。实际上，工程师们采用了一系列方法来确保PA不会违反杂散辐射要求。在研发或特性分析实验室中，工程师通常会使用频谱信号分析仪或是矢量信号分析仪直接测量杂散辐射。然而，在制造环境中，由于测试时间至关重要，工程师通常直接测量谐波功率并使用统计相关性来预测PA是否违反杂散辐射要求。测量调制信号的谐波需要仔细注意测量带宽，因为谐波所需的测量带宽因不同阶次的谐波而异。
