武汉星兴达液压气动设备有限公司为您提供更多型号 A10VSO45DG/31R液压油泵恩施
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。
A10VSO18DG
A10VSO18DR
A10VSO18DRG
A10VSO18DFR
A10VSO18DFR1
A10VSO18DFLR
A10VSO18DR/31R
A10VSO18DFR/31R
A10VSO18DFR1/31R
A10VSO18DFLR/31R
A10VSO18DG/31R
A10VSO18DRG/31R

A10VSO28DG
A10VSO28DR
A10VSO28DRG
A10VSO28DFR
A10VSO28DFR1
A10VSO28DFLR
A10VSO28DG/31R
A10VSO28DR/31R
A10VSO28DRG/31R
A10VSO28DFR/31R
A10VSO28DFR1/31R
A10VSO28DFLR/31R
A10VSO45DG
A10VSO45DR
A10VSO45DRG

A10VSO45DFR
A10VSO45DFR1
A10VSO45DFLR
A10VSO45DG/31R
A10VSO45DR/31R
A10VSO45DRG/31R
A10VSO45DFR/31R
A10VSO45DFR1/31R
A10VSO45DFLR/31R
A10VSO71DG
A10VSO71DR
A10VSO71DRG
A10VSO71DFR
A10VSO71DFR1
A10VSO71DFLR
A10VSO71DG/31R
A10VSO71DR/31R
A10VSO71DRG/31R
A10VSO71DFR/31R
A10VSO71DFR1/31R
A10VSO71DFLR/31R
A10VSO100DG
A10VSO100DR
A10VSO100DRG
A10VSO100DFR
A10VSO100DFR1

A10VSO100DFLR
A10VSO100DG/31R
A10VSO100DR/31R
A10VSO100DRG/31R
A10VSO100DFR/31R
A10VSO100DFR1/31R
A10VSO100DFLR/31R
A10VSO140DG
A10VSO140DR
A10VSO140DRG
A10VSO140DFR
A10VSO140DFR1
A10VSO140DFLR
A10VSO140DG/31R
A10VSO140DR/31R
A10VSO140DRG/31R
A10VSO140DFR/31R
A10VSO140DFR1/31R
A10VSO140DFLR/31R

信号发生器生成波形的方式可以大致分为两种DDS模式和Arb模式。两种模式都具有优缺点。DDS模式具有低成本、低功耗、高分辨率和频率转换快等优点,适合输出调频、调相、扫频信号。但是DDS可能会丢失一些数据点。另外一种方式就是Arb模式,可以理解为真任意波形发生器的意思。使用Arb模式可以编辑真实的复杂的任意波形信号。无论是上述两种方式的哪一种或是一些新推出的其他方式的波形生成方法,采样(时钟)速率和分辨率都是非常关键的参数。