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LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。
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典型的电压为7.5V-13.5V,这取决于生产厂商的产品。环路隔离器的输出是电流隔离的，它是输入电流的一个镜象反应。伴生在输出端的电压比输入端大大减小了，为7.5V左右。这就决定了它有350Q全部环路负载的能力，这种有限的环路驱动能力是环路隔离器的主要限制。两线变送器两线隔离变送器和环路隔离器有类似隔离功能，但增加了一些高级功能，它们可提供信号调节功能以适应各种输入，如热电偶、频率、RT应力、直流电流以及其它过程输入。
