施耐德电感式接近开关XS608B1NAL2
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为
U=K·I·B/d

其中K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。
由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。
霍尔开关就属于这种有源磁电转换器件,它是在霍尔效应原理的基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号,同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。
霍尔开关的输入端是以磁感应强度B来表征的,当B值达到一定的程度(如B1)时,霍尔开关内部的触发器翻转,霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出,和其他传感器类似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型(双极性)、双信号输出之分。
CKD CAC4-80-150-T2YD-D-Y1
CKD JSC3-FA-63B-1400-T0H5-D-I
FESTO 536275 ADN-32-50-A-P-A
施乐百 RH40M-4DK.4C.1R
麦特沃克 W4025002300
BECKHOFF 倍福 EL6752-0010
BURKERT 221856
ASCO USE257A002 24VDC
EUCHNER CES-I-AR-U-C04-USA 119473
EUCHNER CET3-AR-CRA-AH50FSH- C2312- 111725
美国AITEK T77630-10
PARKER D41FCB31FC1NE7019
DGFN-06-50
DG5V-8-H-2A-T-M-U-C-10
DG4V-3-2A-M-U-C6-60
真空吸盘 SAOF 50x16 NBR-60 G1/4-IG
真空吸盘 SAXM 50 ED-85 G3/8-IG
真空发生器 SMPi 25 NC RD M12-5
吸盘 SAB 60 NBR-60 G3/8-IG
吸盘 SAF 80 NBR-60 G3/8-IG
吸盘 SAB 50 NBR-60 G3/8-IG
吸盘 SAB 40 NBR-60 G1/4-IG
吸盘 SAB 30 NBR-60 G1/4-AG
吸盘 FSGA 43 HT1-60 G1/4-AG
吸盘 SAF50NBR-60G3/8-IG
施迈茨真空压力开关 VS-V-D-NPN / 10.06.02.00634
接触器 LC1D17000M7C
MTL 隔离器 ICC241
PARKER 73222BN2MVJ0N0H1GRP3
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