HORIBA掘场EV 2.0 等离子体排放监测器北崎国际
HORIBA掘场EV 2.0 等离子体排放监测器北崎国际
在半导体制造工艺中，等离子体技术用于各种制造工艺，包括薄膜沉积和蚀刻。
它是一种等离子体发光监测器，可用于从各种等离子室的研发到生产线的广泛应用，例如过程终点检测、状态管理和等离子体诊断。
从高分辨率、宽范围和小尺寸三种新开发的型号中，可以根据用途选择*规格。 此外，分析软件可以满足广泛的需求，例如从血浆中的微小信号变化中检测的终点，以及血浆过程的异常监测。
| 型 |
高分辨率 EV2.0 HR |
宽范围型 EV2.0 STD |
小型 EV2.0 LR |
|---|---|---|---|
| 测量波长范围 | 300 - 800 纳米 | 200 - 1050 纳米 | 300 - 900 纳米 |
| 焦距 | 75 毫米 | 75 毫米 | 20 毫米 |
| 波长分辨率 | 1 纳米 | 2.5 纳米 | 6.5 纳米 |
| 探测器 |
薄型背照式 CCD 图像传感器 （元件数：2048 x 16） |
||
| 传感器单元尺寸 | 105 x 135 x 135 毫米 | 105 x 135 x 135 毫米 | 70 x 135 x 125 毫米 |
| 传感器单元重量 | 850 克 | 850 克 | 610 克 |
| 传感器单元电源规格 | 直流 24V | 直流 24V | 直流 24V |
| 应用程序 | Sigma-P、配方设计师2.0 | ||
* 传感器单元和 PC 配有 AC100V 电源。
* 有关光纤、腔室适配器、多通道 PC 和其他规格，请联系我们。
