内部构造P+F倍加福传感器NBB2-8GM40-E2-V1

发布时间:2025-07-25

内部构造P+F倍加福传感器NBB2-8GM40-E2-V1

内部构造P+F倍加福传感器NBB2-8GM40-E2-V1

技术数据:

环境温度 -40 ... 85 °C (-40 ... 185 °F)

存储温度 -40 ... 85 °C (-40 ... 185 °F)

螺纹 M12 x 1

针脚数 4

质量 20 g

反极性保护 反极性保护

短路保护 脉冲式

电压降 Ud ≤ 1,5 V

工作电流 IL 0 ... 100 mA

断态电流 Ir 0 ... 0,2 mA

空载电流 I0 ≤ 10 mA

可用前的时间延迟 tv ≤ 100 ms

开关状态指示灯 黄色多孔 LED

长度 65 mm

直径 8 mm

MS4-LFR-1/4-D7-CRM-AS


MS4-LFR-1/4-D6-CRM-AS

内部构造P+F倍加福传感器NBB2-8GM40-E2-V1

MS4-LFM-1/4-AUV-DA


MS4-LFM-1/4-AUV-DA-Z


MS4-FRM-1/4-Y-Z


MS4-FRM-1/4-Y


MS4-DE-1/4-V110


MS4-DE-1/4-V230


MS4-DE-1/4-10V24


MS4-LR-1/8-D5-RG-AS


MS4-LR-1/4-D6-AD1-AS-Z


MS4-LFR-1/4-D7-E-R-H-AD1


MS4-LFR-1/4-D6-E-R-M-AD3


MS4-LFM-1/4-ARM


MS4-LDM1-1/4-P10


MS4-WBM


MS4-LF-1/4-ERM


MS4-LR-1/8-D5-Z


MS4-LFR-1/4-D6-C-U-M-AS


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