玉崎现货 牛津仪器OXFORD PlasmaPro 100 Cobra ICP 等离子体工艺系统

玉崎现货 牛津仪器OXFORD PlasmaPro 100 Cobra ICP 等离子体工艺系统

玉崎现货 牛津仪器OXFORD PlasmaPro 100 Cobra ICP 等离子体工艺系统

化合物半导体/MEMS/*封装刻蚀与沉积选什么设备？牛津仪器PlasmaPro系列，RIE/ICP/PECVD/ALD全工艺覆盖，200mm/300mm晶圆兼容，研发到量产一站式解决方案

开篇：半导体工艺研发到量产，刻蚀和沉积设备选不对工艺全白费

化合物半导体（GaAs、InP、SiC、GaN）器件制造、MEMS传感器、*封装、VCSEL激光器、microLED——这些前沿领域的核心工艺离不开的干法刻蚀和薄膜沉积。反应离子刻蚀（RIE）、电感耦合等离子体刻蚀（ICP）、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）……不同工艺需要不同设备，选型不对，要么刻蚀侧壁不直、要么沉积薄膜均匀性差，良率直线下降。

更隐蔽的坑：牛津仪器PlasmaPro系列覆盖PlasmaPro 80（研发/小批量）、PlasmaPro 100（200mm平台研发到量产）、PlasmaPro 800（300mm大批量生产） 三大平台，每个平台又有RIE、ICP、PECVD、DSiE、Cobra、Estrelas、Nano、ALD等多个工艺模块。选型时不确认晶圆尺寸、工艺类型和产能需求，买了PlasmaPro 80发现处理不了8英寸晶圆，买了PlasmaPro 800放在研发实验室又体积太大。

英国牛津仪器PlasmaPro系列等离子体工艺系统，覆盖RIE、ICP、PECVD、ALD、DSiE全工艺，兼容50mm到300mm晶圆，从研发到量产全场景覆盖。配备PTIQ智能软件，提供*的系统响应控制、工艺性能优化和多级别软件配置。

PlasmaPro系列三大平台核心定位

平台	定位	晶圆尺寸	装载方式	典型应用
PlasmaPro 80	紧凑型研发/小批量	*200mm	直开式	研究、原型设计、小批量生产
PlasmaPro 100	200mm平台研发到量产	*200mm	单晶圆Load Lock或Cassette	化合物半导体、MEMS、*封装
PlasmaPro 800	300mm大批量生产	300mm或大批量	直开式	大批量晶圆、300mm单晶圆

PlasmaPro 100系列：200mm平台，研发到量产主力

PlasmaPro 100系列提供200mm平台，具备单晶圆和多晶圆批量能力。工艺模块提供高吞吐量、高精度和*的均匀性，具有清洁光滑的垂直侧壁和刻蚀表面。

PlasmaPro 100 Cobra ICP刻蚀系统

Cobra是牛津仪器*的ICP刻蚀系统，利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供*的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于*尺寸为200mm的晶圆。

• ICP源尺寸：65mm或300mm可选——300mm源可实现200mm晶圆的*工艺均匀性

• 温度范围：电极可冷却至-150℃或加热至400℃

• He背面冷却：实现*晶片温度控制

• Load Lock或Cluster：单晶圆Load Lock或可集群多达5个工艺模块

• 应用市场：GaAs和InP激光光电子、microLED和透镜、SiC和GaN电力电子/RF、MEMS和传感器

• 刻蚀材料：III-V族、金属（Al、Cr、Ni等）、SiOx、SiO2、Si、SiNx硬掩模

PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蚀（DSiE）系统

Estrelas平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位灵活性，满足MEMS、*封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。

• 同一平台支持：Bosch工艺、低温DSiE和深氧化物/氮化物刻蚀，无需更换腔室硬件

• 兼容衬底：50mm至200mm

• 工艺能力：光滑侧壁工艺、高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺、锥形通孔刻蚀

• Bosch工艺：刻蚀速率>25μm/min，侧壁 scallop <25nm

• 机械或静电压盘、加热内衬：改善重复性，延长清洗间隔

PlasmaPro 100 PECVD沉积系统

专为生产高质量薄膜而设计，具有*的均匀性和对薄膜特性（折射率、应力、电学特性、湿法刻蚀速率）的控制。

• 晶圆尺寸：*200mm

• 双频RF：13.56MHz和100KHz施加于上电极，实现应力控制和薄膜致密化

• 电阻加热电极：*400℃或1200℃

• 适用薄膜：SiO2、SixNy（氮化硅）、SiC、a-Si:H、硬掩模、抗反射涂层

• 液体/固体前驱体输送：加热至70℃，蒸气抽取/载气辅助/鼓泡模式

PlasmaPro 100 ALE（原子层刻蚀）

PlasmaPro 100 ALE和Etchpoint解决方案在同一腔室内提供GaN和AlGaN的高速率ICP和低损伤ALE工艺，*200mm。

PlasmaPro 100 Nano CVD

PlasmaPro 100 Nano（原Nanofab）提供纳米材料的高性能生长，具有原位催化剂活化和严格的工艺控制，温度*1200℃。

适合谁：化合物半导体器件制造商、MEMS工厂、*封装厂、VCSEL/LED生产商、功率器件/RF器件制造商。

Atomfab ALD系统：量产型等离子体ALD

Atomfab是牛津仪器*的ALD技术创新，专为GaN功率器件和射频器件制造而设计。它是市面上沉积速度*快的量产型远程等离子体辅助ALD系统。

• 远程等离子体源：专为原子尺度加工设计的远程源

• 低损伤：可控离子能量从近0到30eV，对敏感衬底损伤极低

• 快速循环：等离子体时间250ms，点火时间80ms，实现高吞吐量

• 均匀性：晶圆内厚度均匀性<±1.0%，晶圆间厚度重复性<±1.0%

• 击穿电压：≥7.0 MV/cm

• 可集群：与自动晶圆搬运系统集成

• 应用：Al₂O₃薄膜钝化、栅极电介质

适合谁：GaN功率器件制造商、射频器件制造商、*半导体代工厂。

PlasmaPro系列共同优势：PTIQ智能软件+全球支持

PlasmaPro系列全系配备PTIQ智能软件解决方案，提供*的系统响应控制、工艺性能优化和多级别软件配置。

全球客户支持：

• 远程诊断软件提供快速便捷的故障诊断

• 根据预算和实际需求定制服务支持

• 全球战略位置储备备件，快速响应

工程师选型避坑：PlasmaPro系列怎么选

选型四步法：

1. 先定晶圆尺寸和产能：≤200mm研发/小批量 → PlasmaPro 80（直开式，成本低）；≤200mm研发到量产 → PlasmaPro 100（Load Lock/Cassette，吞吐量高）；300mm大批量 → PlasmaPro 800（460mm电极，大批量/300mm）

2. 再定工艺类型：各向异性刻蚀/通用刻蚀 → RIE模块；高深宽比/低损伤刻蚀 → ICP模块（Cobra） ；深硅刻蚀（MEMS/TSV）→ Estrelas模块（DSiE） ；薄膜沉积（SiNx/SiO2/SiC）→ PECVD模块；纳米级薄薄膜 → ALD模块（Atomfab/FlexAL）

3. 确认温度需求：需要-150℃低温或400℃高温 → PlasmaPro 100 Cobra（宽温电极）；需要1200℃高温度 → PlasmaPro 100 Nano CVD

4. 确认集群需求：需要多工艺模块集成（如ICP+ALD+PECVD）→ PlasmaPro 100支持*多5个模块集群

*不能做的事：

• 研发阶段买PlasmaPro 800——体积大、成本高、功能过剩

• 大批量生产用PlasmaPro 80——吞吐量不够，产能瓶颈

• 需要深硅刻蚀（DSiE）却买了标准RIE——刻蚀速率和深宽比不够

• 需要原子级薄膜控制却买了PECVD——膜厚控制精度不够，应选ALD

• 忽视PTIQ软件升级——*智能软件可显著提升系统控制和工艺性能

供货与服务保障

• 授权渠道：牛津仪器科技（上海）有限公司

• 技术支持：远程诊断软件、定制服务合同、全球备件储备

• 软件升级：PTIQ智能软件（PlasmaPro和Ionfab全系列）

落地适配全场景

• 化合物半导体：GaAs/InP激光光电子、VCSEL、microLED

• 功率器件/RF：SiC和GaN电力电子、射频器件

• MEMS传感器：深硅刻蚀、腔体刻蚀

• *封装：TSV硅通孔刻蚀

• 纳米技术：纳米材料生长、量子器件（NbN/Ta）

• 光子学：SiO2/SiNx沉积、石英刻蚀

• 失效分析：封装芯片和裸芯片干法刻蚀解剖

结尾转化

化合物半导体/MEMS/*封装刻蚀沉积选型怕RIE/ICP/PECVD/ALD分不清、怕80/100/800平台选不对？

英国牛津仪器PlasmaPro系列等离子体工艺系统，覆盖RIE/ICP/PECVD/ALD/DSiE全工艺，50mm~300mm全尺寸兼容，PTIQ智能软件加持，从研发到量产一站式解决方案。牛津仪器科技（上海）有限公司提供全流程技术支持。

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