LSC1212B470M2H5R电容器产品介绍
LSC1212B470M2H5R询价热线LSC1212B470M2H5R现货LSC1212B470M2H5R代理 王先生 深圳市首质诚科技有限公司, Presidio的厚膜技术掩埋电极进入陶瓷体允许a与传统结构相比，具有10：1的优势。它为设计者提供了：（a）更多的带宽通过增加器件电容，（b）更多稳定的电容在整个温度和（三）更多更小尺寸的电容以增加电路板密度。填充的通孔连接埋入的电极和电极外部顶部和底部金属化焊盘;纯度99.95％金是所有金属连接标准允许证明采用AuSn或导电环氧树脂固定技术进行引线键合技术。
产品名称：电容器
LSC1212B470M2H5R产品特征
PRESIDIO的优势
滤波器设计要求一个特定的电容值C F，而在滤波器响应的上限f F，有效容量不得
过C F过量的C。一旦C F被确定，外壳尺寸，电压额定值和温度特性可以
被选中。通常，像NPQ和NPO这样的较低损耗的I类材料是。无共振宽带耦合/去耦电容器II类“BX”电介质对于DC模块或RF旁路应用而言是典型的，以在特定的宽频率下无谐振地工作范围。低阻抗通常比电容值更重要，电容值应足够大以覆盖3dB的低边缘
带宽。小损耗，有限带耦合电容器当需要小损失时，例如低噪声电路，建议使用I类电介质（NPQ或NPO）的高Q值电容。任何电容器的并联谐振频率应该在使用频段之外。好的电容选择放在系列在频带中心的谐振（大约f 0/2）。
LSC1212B470M2H5R产品详情
Presidio的厚膜技术掩埋电极进入陶瓷体允许a与传统结构相比，具有10：1的优势
。它为设计者提供了：（a）更多的带宽通过增加器件电容，（b）更多稳定的电容在整个温度和（三）更多更小尺寸的电容以增加电路板密度。填充的通孔连接埋入的电极和电极外部顶部和底部金属化焊盘;纯度99.95％金是所有金属连接标准允许证明采用AuSn或导电环氧树脂固定技术进行引线键合技术。高Q值应用具有的低损耗性能，如10 pF所示NPO电容所示。选择介质材料的难易程度：Presidio提供3种陶瓷材料大多数其他供应商提供过15个。
LSC1212B470M2H5R应用
FILTER CAPACITOR
MVL2020X391M3H5C NVL3030X103MGH5N MVL4080X153M3H5C LBB0402X203ML
MVL2020X102M2H5C MVL3030Y104ZGH5C MVL4080X303M2H5C MBB0502X822M3
MVL2020X272M1H5C MVL3030X433MEH5C MVL4080X683M1H5C MBB0502X103ML
MVL2020X512MGH5C MVL3060X822M3H5C MVL4080X104MGH5C MBB0502X273M2
MVL2020X103MEH5C MVL3060X203M2H5C MVL5080X303M3H5C LBB0502X683MH
MVL2040X102M3H5C MVL3060X303M1H5C MVL5080X683M2H5C LBB0502X104MH
MVL2040X222M2H5C MVL3060X473MGH5C NVL5080X104M1H5N MBB0502X123MG
MVL2040X512M1H5C MVL3060X104MEH5C MVL5080X184MGH5C MBB0502X683MG
MVL2040X103MGH5C MVL4040X822M3H5C MVL5080X224MEH5C MBB0502X104MG
MVL2040X223MEH5C MVL4040X203M2H5C LBB0201X103ME MBB0502N821MG
MVL2741X104MGH5C MVL4040X303M1H5C MBB0302X392M2 MBB0502Y224ZG
MVL3030X472M3H5C NVL4040X103M1H5N LBB0302X123MH NBB0502X103MF
MVL3030X103M2H5C MVL4040X473MGH5C MBB0302X103MG MBB0603X402M2
NVL3030X682M2H5N MVL4040X104MEH5C MBB0302X123MG MBB0603X154MG
MVL3030X153M1H5C MVL3080X153M2H5C LBB0402X104MG MBB0805X563ML
MVL3030X223MGH5C MVL3080X104MGH5C NBB0402X103MG MBB0805X154MG
MBB0805X402M2
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