PD20015-E射频功率晶体管产品介绍
PD20015-E询价热线PD20015-E现货PD20015-E代理 王先生 深圳市首质诚科技有限公司, PD20015-E是一款通用源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。 它专为高增益，宽带商业和工业应用而设计。 它工作在13.6 V的共源模式下，频率高达1 GHz。 PD20015-E拥有ST新的LDMOS技术所具有的的增益，线性度和可靠性，安装在个真正的SMD塑料射频功率封装PowerSO-10RF中。
产品名称：射频功率晶体管
PD20015-E产品特征
镀金
优异的热稳定性
共源推挽配置
POUT = 300 W（小值） 在175 MHz时增益为20 dB
符合2002/95 / EC欧洲指令
ST空腔封装技术 - STAC封装
PD20015-E产品详情
PD20015-E是一款通用源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。 它专为高增益，宽带商业和工业应用而设计。 它工作在13.6 V的共源模式下，频率高达1 GHz。 PD20015-E拥有ST新的LDMOS技术所具有的的增益，线性度和可靠性，安装在个真正的SMD塑料射频功率封装PowerSO-10RF中。 PD20015-E的线性性能使其成为移动无线电应用的理想解决方案。
PowerSO-10塑料封装旨在提供高可靠性，是ST JEDEC批准的高功率SMD封装。 它专门针对射频需求进行了优化，并提供的RF性能和易于组装。
PD20015-E应用
PD20010-E
PD20015-E
PD20015C
PD55003-E
PD55003L-E
PD55008-E
PD55008L-E
PD55015-E
PD55025-E
PD55035-E
PD85004
PD85006-E
PD85006L-E
PD85015-E
PD85025-E
PD85025C
PD85035-E
PD85035C
PD85050S
深圳市首质诚科技有限公司
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