LINTEC琳得科 埃隆BG系列 UV固化晶圆背衬表面保护胶带

一、产品概述

LINTEC琳得科 Adwill 埃隆BG系列为UV固化型晶圆背磨（Back Grinding）表面保护胶带，专为半导体晶圆背面减薄、薄晶圆加工、凸块晶圆制程开发。产品采用聚烯烃基材搭配感光型UV固化胶体系，全程无尘Class 100等级生产，适配8/12英寸标准晶圆、薄晶圆及高凸块晶圆量产工艺。

产品核心特性为UV照射前高粘固护、UV照射后低应力脱胶，可有效解决晶圆研磨过程中滑移、崩边、表面污染、薄晶圆裂片等工艺难题，是半导体封测、晶圆减薄、隐形切割制程的核心配套耗材。

二、核心技术特性

1. 分段式粘接特性，适配全制程工艺需求

胶带具备优异的双向工艺适配性，研磨加工阶段保持稳定高附着力，紧密贴合晶圆正面电路层，有效阻隔研磨液、硅屑侵入，杜绝电路划伤与微粒污染，同时抑制晶圆偏移滑移，保障研磨精度；制程完成后，经365nm波长UV紫外照射（标准剂量380mJ/cm²），胶层附着力大幅衰减，可实现无压力、低应力剥离，规避40μm以下薄晶圆裂片风险，剥离后晶圆表面无残胶、无胶渍残留，无需二次清洗工序。

2. 柔性耐候基材，适配复杂晶圆结构

采用高韧性PO聚烯烃基材，抗拉伸、抗形变，可适配平整硅晶圆、高锡球凸块晶圆等多种异形晶圆结构。基材耐水解、耐研磨冷却液浸泡，长期高压研磨工况下无溶胀、无起翘、无脱胶，耐受研磨温升，胶层性能稳定不析出，适配长时间连续量产制程。蓝色遮光款可规避制程光线对芯片元件的干扰，适配精密芯片加工。

3. 无尘洁净生产，满足半导体高等级标准

产品全程在Class 100无尘车间生产分切，低离子析出、低挥发、无杂质污染，契合半导体洁净制程规范，可直接应用于高端芯片、MEMS器件、功率半导体等高精密加工场景。

4. 适配多工艺兼容，通用性极强

可兼容标准背磨、DBG、SDBG隐形切割、化学减薄等主流晶圆加工工艺，适配全自动贴膜、UV固化、自动撕膜一体化产线，适配行业主流贴膜设备与UV照射设备，适配性广、量产稳定性高。

三、核心技术参数

产品系列：埃隆BG E系列（UV固化背磨保护胶带）

基材材质：PO聚烯烃薄膜

胶层材质：UV感光固化丙烯酸压敏胶

外观规格：透明、蓝色遮光两种可选

核心粘接性能：UV照射前粘着力5400~11300mN/25mm，UV照射后粘着力降至50~55mN/25mm，降粘效果稳定可控

适配晶圆厚度：薄晶圆（≥40μm）、常规厚度晶圆

标准UV固化条件：波长365nm，照射剂量380mJ/cm²

生产等级：Class 100无尘洁净生产

主流型号：E-6142S、E-6152B、E-6170S、E-8180HR

四、适配应用场景

• 8/12英寸硅晶圆背面减薄、精密研磨量产制程

• 存储芯片、功率器件、MEMS传感器晶圆加工保护

• 高凸块晶圆、薄芯片低应力剥离工艺

• DBG、SDBG隐形切割前置背磨工序

• 化合物半导体、碳化硅晶圆精密研磨防护

• 半导体实验室精密样品制备、晶圆测试保护

五、产品选型优势

相较于传统机械剥离保护膜，琳得科BG埃隆UV固化胶带依托UV可控降粘技术，解决薄晶圆剥离裂片、残胶污染、应力损伤等行业痛点，大幅提升晶圆良率，降低后期清洗、返工成本。适配全自动量产产线，工艺稳定性强、一致性高，是高端半导体晶圆背磨制程的标准化*耗材。

六、供货说明

原装*现货，支持常规卷材规格及定制分切宽度，可配套全系晶圆贴膜机、UV固化设备适配使用，提供产品物性报告、洁净等级证明等全套技术资料，支持工业批量采购与试样定制。