LEUZE劳易测光电传感器主要参数PRK328.3/4P-M12

LEUZE劳易测光电传感器主要参数PRK328.3/4P-M12

光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类：在光线作用下能使电子溢出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；

2316 U-1/4   

3569 B-1/4  

4759852 EAPM-L2-SH  

4784301_EAMM-U-65-T42-60P-87  

531030 MSB6-1/2:C4:J126:B1-WP  

532187_MS4-WRS  

536241 ADN-20-50-A-P-A 

536246 ADN-20-25-I-P-A  

536250_ADN-25-200-I-P-A  

536267_ADN-32-100-A-P-A   

536275 ADN-32-50-A-P-A  

536294_ADN-40-30-A-P-A  

536296 ADN-40-50-A-P-A  

536330_ADN-63-100-A-P-A  

536334_ADN-63-20-A-P-A   

536338 ADN-63-50-A-P-A  

536361_ADN-80-80-A-P-A  

539074_OVEM-05-H-B-GO-CE-N-1PD  

551375_SMT-10M-PS-24V-E-0,3-L-M8D  

552938_MSB9-1:C2:J112:V12:M2-WP  

564212 VUVG-L14-P53C-T-G18-1H2L-W1---(G)  

566621 VABM-L1-14S-G14-5  

566626_VABM-L1-14S-G14-10  

566629 VABM-L1-14S-G14-16---(L1-P)  

569989 VABB-L1-14  

573606_VTUG-14-VRPT-B1T-Q12L-UL-Q6S-16G  

574334 SMT-8M-A-PS-24V-E-0.3-M8D 

574334_SMT-8M-A-PS-24V-E-03-M8D 

577320 VUVG-L14-P53C-T-G18-1H2L-W1  

577962 _VUVG-L14-P53E-T-G18-1H2L-W1  

8043720_VABD-L1-14XK-S-G18-S 

8048366_EGSC-BS-KF-60-200-12P  

8065121 NEBL-M8G4-E-15-N-LE4  

8068724 VFOE-LE-T-M5-Q6  

8068726_VFOE-LE-T-G18-Q6