VAT UHV控制阀门 满足EUV溅射高真空控制

来源：卡洛斯莫国际贸易(深圳)有限公司
发布时间：2026-10-30 16:44:14
在半导体溅射、极紫外（EUV）光刻、质子**、正电子发射断层扫描（PET）等高真空工艺中，控制门阀需要在1×10⁻¹⁰ mbar级真空下实现可靠、*的压力控制和隔离。传统门阀常面临几个问题：弹性体密封在高真空下放气率高，难以达到UHV要求；润滑剂在真空环境中挥发，污染工艺腔体；板与密封面摩擦产生颗粒，影响光学元件和晶圆良率；高循环下密封磨损快，维护周期短。更棘手的是，EUV和溅射工艺对碳氢化合物和颗粒污染极其敏感，任何放气或颗粒都可能导致光学镜面劣化。如何在1×10⁻¹⁰ mbar至1.6 bar压力范围内实现金属密封、无润滑、无摩擦板动作和**压力控制，成为UHV控制门阀选型的核心问题。


64.8 UHV控制门阀系列设计用于高真空工艺中，如溅射或半导体生产中的极紫外（EUV）等应用中，实现可靠、*的控制和隔离。它满足耐用性、模块化、防漏性和可维修性的标准要求，特别注重高运转时间和低拥有成本。

核心性能与设计要点

64.8定位清晰：UHV控制门阀、VATLOCK技术、金属阀盖密封、波纹管馈通、无润滑设计。其核心性能与设计信息如下：

尺寸：DN 160（6英寸）、DN 200（8英寸）、DN 250（10英寸）、DN 320（12英寸）。

执行器：带闭环控制步进电机的集成压力控制器。

阀体材质：不锈钢。

馈通：波纹管馈通。

标准法兰：ISO-F、CF-F、ASA-LP/ASA、JIS。

泄漏率：阀体<5×10⁻¹⁰ mbar·l/s；阀座<1×10⁻⁹ mbar·l/s。

压力范围：DN 160–200为1×10⁻¹⁰ mbar至1.6 bar（abs）；DN 250为1×10⁻¹⁰ mbar至1.2 bar（abs）；DN 320为1×10⁻⁶ mbar至1.2 bar（abs）。

板上压差：DN 160–200≤1.6 bar；DN 250–320≤1.2 bar。

开启时压差：≤30 mbar。

**维护前循环：节流（开至*大开）100,000次；隔离（开-关-开）30,000次。

温度：阀体≤80°C；控制器*大50°C（建议≤35°C）。

材质：阀体为AISI 304（1.4301）；机构DN 160–200为AISI 316L（1.4404），DN 250为AISI 304（1.4301）；波纹管为AISI 316L（1.4404、1.4435）。

密封：阀盖为金属；板为FKM（可选O型圈）。

安装位置：DN 160–250任意；DN 320水平。

阀门位置指示：可视（机械和控制器上）。

特色：可靠成熟的UHV设计；无润滑剂；VATLOCK技术；坚固不锈钢阀体。

设计选项：密封材料、法兰连接、粗抽（旁通）、放气或计量、特殊控制算法（自适应、下游固定PI/软泵）；控制器可与阀门分开安装。

应用：溅射、EUV、质子**、PET、过程控制与隔离。

产品型号：64.8系列。
以上信息由企业自行提供，信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责，仪器仪表交易网对此不承担任何保证责任。
温馨提示：为规避购买风险，建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。

上一篇： 特征 AZBIL山武限位开关SL...
下一篇： 原厂VAT UHV控制阀门 满足...

推荐资料