SIEMENS西门子功率模块6SL3120-1TE21-0AA4

SIEMENS西门子功率模块6SL3120-1TE21-0AA4

功率模块的热阻由材料导热系数、厚度和面积决定。在一个带铜基板的IGBT功率模块中，芯片焊料导热系数约为30W/(m·K)，厚度约0.1mm，其热阻占比约4%；而DCB中的陶瓷导热系数约25 W/(m·K)，厚度约0.38mm，热阻占比高达28%。在定义模块壳到散热器的热阻时，假设导热硅脂的导热系数为1W/(m·K)，厚度为30-100um，其在芯片散热通路中的热阻占比可达37%。碳化硅的导热系数为490W/(m·K)，因此碳化硅芯片可以实现很高的功率密度 [19]。此外，碳化硅功率模块系列还提供了更宽的温度范围，以满足下一代功率转换系统对更高的功率密度、工作频率和效率的要求 

 MAC 电磁阀411A-COA-DM-DDFJ-1JM 

S10DH5319G03900150V 

S10DH5319G0390016OV    

R901183072  4WREQ6Q5-08-2X/V00-24PA63   

S6V10G09723060V 5200  

  安士能 EGT1/4A2000 

F28-03-SG00替换型号 F28-03-SG00B  

S100-AC-FM20-0250(M16X2-M20X1.5) 

S100-AC-FG-0250(M16X2-G1/4) 

S100-AC-AC-0150(2-M16X2)  

S100-AC-AC-0300(2-M16x2 ) 

接近开关    NBN8-18GM50-E2   

 KFD2-STC5-1.20 DC24V 239214   

 KFD2-SR2-Ex2.W DC24V   

PN2099   

  WCS/PCV用9针30米的预铸电缆;V19-G-30M-PUR-ABG;PEPPERL+FUCHS/倍加福 

 DF ON 660 T L 20 Y 1.0 /-B6 

Т6DС-045-003-3R00-В1   

PLC模块 C200HW-PD024  

CWPN 06 B/M-G 24   

CWPN 06 H/M-G 24   

 E-MI-AS-IR  

4325-51R