该器件是一种砷化镓铝，单极，三掷（SP3T），PIN二极管开关。
MA4AGSW3开关的特点是使用MACOM的异质结技术形成的AlGaAs阳极。这种技术产生的开关比传统的GaAs工艺具有更少的损耗。在50GHz的情况下，可以实现多达0.3 dB的插入损耗减小。这些器件是在设计用于高器件均匀性和极低寄生效应的OMCVD外延晶片上制造的。
产品特性
宽带：50 MHz至50 GHz
功能带宽：50兆赫至70千兆赫
0.8分贝插入损耗
50 GHz的31分贝隔离
低电流消耗
低损耗状态的-10mA
隔离状态的±10mA
com M/A COM技术的unique AlGaAs
异质结阳极技术
氮化硅钝化
聚合物划痕保护
符合RoHS标准*和260°C回流兼容
MA4AGSW3产品详情
MA4AGSW3是一种砷化镓铝，单极，三掷（SP3T），PIN二极管开关。开关的特点是使用MACOM的异质结技术形成的AlGaAs阳极。这种技术产生的开关比传统的GaAs工艺具有更少的损耗。在50GHz的情况下，可以实现多达0.3 dB的插入损耗减小。这些器件是在设计用于高器件均匀性和极低寄生效应的OMCVD外延晶片上制造的。二极管本身具有低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们是完全钝化氮化硅，并有额外的聚合物层划痕保护。保护涂层防止在处理和组装过程中对二极管结和阳极空气桥的损坏。片外偏置电路是必需的。AlGaAs的高电子迁移率和PIN二极管的低电容使得这种开关适合于快速开关、高频、多投开关设计。这些AlGaAs PIN开关用于雷达系统、辐射计、测试设备和其他多组装组件的开关阵列。
MA4AGSW3应用
航空航天与
ISM
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