50~500us的脉冲宽度连续可调；
15us的快上升沿；
同步测量电压；
单台*可达1000A输出；
可极性反转；
0.1%测试精度；详询；
技术指标
DUT电压测量 0~3V量程，精度0.1%±3mV
DUT电压测量 0~18V量程，精度0.1%±8mV
电流脉宽 50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间 典型时间15us
输出脉冲电流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量 2独立通道
DUT电压测量 远端测量，峰值电压测量（取样点可配置）
DUT电压测量 0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV
电流脉冲输出间隔时间1秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出大电流，如3000A
支持输出极性反转
触发信号 支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压 90~264VAC、50/60Hz
输入功率<750W
尺寸：长516x宽250x高160mm
应用领域
肖特基二极管
整流桥堆
IGBT器件
IGBT半桥模块
IPM模块
武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。
未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。
