WINETCH刻蚀系统通过电容耦合（CCP）方式产生高密度等离子体，按掩膜（例如光刻胶掩膜）图形、实现对介质材料（例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等）的选择性刻蚀。

CCP系统主要由以下几部分组成：反应腔室、下电 、喷淋头（上电）、射频电源、真空系统、预真空室、气路系统、控制系统与软件、配套附件等。

WINETCH等离子刻蚀机产品特点：

-刻蚀形貌好、工艺性能优越

-高选择比、高刻蚀速率

-低拥有成本和消耗成本

WINETCH等离子刻蚀机技术参数：

晶圆尺寸：6/8寸兼容

适用工艺：等离子体刻蚀

适用材料：SiO₂，Si₃N₄，etc.
适用域:化合物半导体、MEMS、功率器件、科研等领域