网络分析仪生产厂家为你导读：在对电阻负反馈型宽带低噪声放大器电路分析与设计的基础上，基于SMIC 0. 18 μm RFCMOS 工艺进行设计，在Cadence Virtuoso 平台上对电路原理图进行设计，并对噪声系数、S11、S21等参数进行了优化设计，仿真优化后得到的LNA 的S 参数、噪声系数的仿真结果如图5、图6 和图7 所示，电阻反馈型低噪声放大器在工作频带范围内提供了较平坦的高增益，在1 ～ 3 GHz 的频带，相应的仿真结果为: S11 <-15 dB，增益>14 dB，并在在整个频带范围内的平坦度较好，增益波动<2. 6 dB，噪声系数<3. 6 dB。
在确定好这2 个参数的情况下，对宽带低噪声放大器的级负载电阻进行优化，选择合适的阻值。在初步完成上述参数的初始值后，对宽带低噪声放大器的整体性能进行优化设计，直至各参数满足系统指标。为了便于后续电路的测试验证，在核心电路后边增加了一级输出驱动电路，该输出驱动电路为源级跟随器，在增大了输出驱动能力的同时可以提供宽带输出匹配。
与佳噪声系数Fmin相比噪声会有稍许增加。在综合考虑噪声系数和匹配效果的条件下折中选择M1 的栅宽尺寸和反馈电阻R1的阻值; M1 的栅宽尺寸主要是根据小噪声系数原则和偏置电流推导得出，之后根据S11参数和噪声系数对2 个参数进行优化。在进行宽带低噪放的电路设计时，稳定性设计是必不可少的，否则电路容易自激。其稳定性的判据主要是稳定系数K 和|Δ| ，为了得到稳定的网络。频谱分析仪批发
本文设计的宽带低噪声放大器省略了传统低噪声放大器设计中的电感，这将在很大程度上减少芯片的面积; 更为重要的是该芯片依靠自身的MOS 管和比例电阻实现了内匹配，避免了大批量应用时由于芯片内部参数受工艺参数影响而造成的外围匹配电路的更改，简化了芯片的应用，在实际的工程应用中具有重要的意义。
本文设计的宽带低噪声放大器与已经发表文献中的宽带低噪声放大器的性能比较如表1 所示，这些文献均采用0. 18 μm 工艺进行设计，具有一定的比较意义。通过表1 可以看出，本设计中各项参数都达到了较好的性能指标，避免了传统集成电路设计中需要采用电感的缺点，而电感通常在电路设计中占用非常大的面积。
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