大小1英寸到4英寸不等，厚度0.2mm、0.4mm、1mm、1.2mm等不同厚度，单面抛光。

参数类型                                           Si技术指标

产品尺寸                                            1-4英寸

生长方法                                            直拉单晶（Cz）

表面抛光                                            单面抛光

直径公差                                           100.2±0.3mm

掺杂类型                                            掺杂剂（磷或硼）

晶体取向                                             100  111

电阻率Ω                                           ＜0.0015 Ω.cm  0.001-0.5Ω.cm  1-10Ω.cm

平整度TIR                                        ＜3um

翘曲度TTV                                       ＜10um

弯曲度BOW                                     ＜10um

抛光粗糙度Ra                                  ＜0.5nm

颗粒度Pewaferr                              ＜（for size＞0.3um）

厚度um                                            请咨询

用途                                              用于微流控芯片光刻工艺模具、工艺等同步辐射样品载体、LPCVD/PECVD镀膜                                                     做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、AFM、红外光谱 荧光光谱等分析测                                                     试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体等诸多科研用途。