In GaAs,+3至-70dBm,800至1700nm 传感器元件：砷化铟镓 波长范围：800 - 1700nm 功率范围：3至70dBm 不确定性在参考条件：± 2.5％(1000 - 1650nm) 不确定度：± 5％± 50pW(1000 - 1650nm)
In GaAs,+3至-70dBm,800至1700nm
传感器元件：砷化铟镓 波长范围：800 - 1700nm 功率范围：3至70dBm 不确定性在参考条件：± 2.5％(1000 - 1650nm) 不确定度：± 5％± 50pW(1000 - 1650nm)
