140CHS41010产品特点
以TSV为核心的3D集成技术：
以TSV穿硅互联技术为核心的3D集成技术主要影响的是芯片之间的互联结构，因此这种技术主要减小的是芯片间互联需用的电路板面积。这种技术一般是采用将多块存储或逻辑功能芯片垂直堆叠在一起，并将堆叠结构中上一层芯中制出的TSV连接在下层芯片顶部的焊垫(Bondpad)上的方式来实现。不过此时堆叠结构中的每一层芯片都采用独自的设计，仍为传统的二维结构，因此每一层芯片内部的电路级互联仍为传统的二维设计。
单片型3D堆叠技术：(MonolithIC3D)
相比之下，单片型3D技术中，芯片内部互联层的3D化则更加，因此人们通常称这种技术为“真3D集成设计”。此时芯片堆叠结构中每一层芯片均作为整体中的一个功能单元来设计，这样堆叠结构中各层芯片(此时应当称之为功能单元可能较为合适些)内部都可以采用同样的互联结构(不论是垂直方向，还是水平方向的互联)，因此这种设计可以让互联线的长度进一步降低。
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厦门光沃自动化设备有限公司
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参数规格
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