JKG-2B

发布时间:2016-08-01

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JKG-2B型双面光刻机 


JKG-2B型双面光刻机 
产品型号 JKG-2B型 双面光刻机
        本机是专为生产中、大规模集成电路、CCD、表面波、磁泡、微波等器件的光刻需要而设计制造的。它可以将两块掩模上的各种图案经紫外光束的曝光,从上下两面分别或同时转印至硅片或其它基片的正反面上,再经其它工序的处理,从而获得完整的微电子器件。
  本机为适应各电子器件厂对JKG-2A型光刻机的使用惯,故保留了JKG-2A型光刻机部分操作程序,尤其是为了提高光刻的质量,本机的结构、精度以及性能等方面作了大幅度的改进。为减少使用者的疲劳,显微镜采用双目观察和平视场物镜,成像清晰,景深较长。由于本机具有上述种种特点,是成批生产微电子器件较为适合的光刻设备。 
  主要技术参数:
1、适用的掩模尺寸: 100*100*2~3mm或75*75*2~3mm 
2、适用的基片幅面尺寸: ф50或ф75mm 
3、曝光分辨率: 3~4чm 
4、掩模与硅片之间的相对位移范围: X、Y各≥±2.5mm; θ(旋转)≥±5° 
5、工作台综合移动范围: X±37.5mm、Y±20mm 
6、曝光系统: GCQ200W高压球形汞灯,曝光波长:300~436nm 
7、曝光系统能量不低于: 波长407nm; 7mW/cm2 
8、曝光系统的照明不均匀性在ф75mm范围内 ±5% 
9、显微镜的照明波长 ≈545nm 
10、曝光时间控制范围: 0.01秒~99.99分 
11、双目显微镜的调焦范围: 13mm 
12、双目显微镜的放大倍率: a.成对目镜,共两种:10*、16*; b.平视场物镜,共两种:6*、9*;
                                         c.合成放大倍率:60*~144* 
13、真空接触压力:  ≥0.7kgf 
14、供电电源: a.频率:50HZ(Z频);b.额定输入电压:190V~230V;c.功率消耗:≤300VA 
15、外形尺寸: 800*1440*650mm 
16、重量: ≈80kg
  



























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