Siemens 4AV3400-2AB

发布时间:2016-08-11

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中IGBT 的集电极-发射极电压始终为正电压或(理想化)零,这取决于U 处的实际相输出电压。因此,对于短路和过压保护,无特殊要求。但是,如果用RB-IGBT 作双向开关,情况则不同,U 点存在的交变电压要求修改经典的短路保护和过压保护电路。否则,驱动器将会损坏,并终损坏IGBT。

图 3(左)举例说明使用富士电机的NPC2 功率模块4MBI650VB-120R1-50 进行的测试。此例中的负载连接在U 和DC-之间,顶部开关T1 导通和关断。通道2 的波形(“CE RB-IGBT T3”)显示了在IGBT T1 的导通和关断时N-U 之间的交变电压。

使用RB-IGBT的NPC2拓扑的开关波形
图3 使用RB-IGBT的NPC2拓扑的开关波形(VDC = 800V, Iload = 650A)

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