90 344 NZ1VZ-511E3VSM04L060-M
090 345 NZ1VZ-538E3VSM04L220-M
090 349 NZ1VZ-528E3VSM09L060-M
044 894 NZ2VZ-528E3VSE04
046 742 NZ2VZ-528E3VSE04L060
047 837 NZ2VZ-538E3VSE04
057 921 NZ2VZ-538E3VSE04L060
070 290 NZ2VZ-528E3VSE07L110
037 299 NZ2VZ-528E3VSM04
045 856 NZ2VZ-528E3VSM04L060
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055 718 NZ2VZ-528E3VSM09
059 427 NZ2VZ-538E3VSM04L060
070 039 NZ2VZ-528E3VSM04L220
076 502 NZ2VZ-538E3VSM09
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074 471 NZ2VZ-2131E3VSM04
074 472 NZ2VZ-3131E3VSM04
093 611 NZ1VZ-2131E3VSH-8C-GMMF
电阻应变式传感器
传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。 压阻式传感器
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用为普遍。
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