双电测四探针测试仪技术说明

双电测四探针测试仪技术说明

 

双电测四探针测试仪采用了四探针双位组合测量新技术，将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上，利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。因而不必知道探针间距，样品尺寸及探针在样品表面上的位置。由于每次测量都是对几何因素的影响进行动态的自动修正，因此显著降低了几何因素影响，从而提高了测量准确度。用目前大量使用的常规四探针测量方法所生产的仪器是根本办不到的。

使用本仪器测量时，由于不需要进行几何边界条件和探针间距的修正，因而对各种形状的薄膜材料及片状材料有广泛的适用性。

仪器适用于测量片状半导体材料电阻率及硅扩散层、离子注入层、异型外延层等半导体器件和液晶片导电膜、电热膜等薄层（膜）的方块电阻。

 

二、         注意事项

1、  若被测样品为硅材料，其制备应符合GB6615-86中有关规定。

2、  按键不可用大力按，以免损坏。

3、  在测量过程中，由于附近其他仪器电源的开关动作有时会反锁住，而无法工作，此时应关机，再重新开机，即恢复正常。

4、  第次测量完毕，应等主机与微机均显示稳定数值后，方可按“测量”键进行下次测量。

切忌用手直接触摸集成电路，切忌对本机直接使用交流220V的烙铁，以防损坏芯片