600V晶体管IXXK100N60C3H1和IXGK60N60C2D1

对600V晶体管IXXK100N60C3H1和IXGK60N60C2D1等有兴趣的商友欢迎找我们深圳市明佳达电子有限公司。

IXXK100N60C3H1晶体管 

一般信息

标准包装   25 包装   管件  零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3™，XPT

规格

IGBT 类型 PT 电压 - 集射极击穿（大值） 600V 电流 - 集电极（Ic）（大值） 170A 脉冲电流 - 集电极 (Icm) 340A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.2V @ 15V，70A 功率 - 大值 695W 开关能量 2mJ（开），950µJ（关） 输入类型 标准 栅极电荷 150nC 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns 测试条件 360V，70A，2 欧姆，15V 反向恢复时间（trr） 140ns 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA 变异型 供应商器件封装 TO-264（IXXK）

IXGK60N60C2D1  600V  75A 晶体管

规格

IGBT 类型	PT
电压 - 集射极击穿（大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（大值）	75A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	300A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	2.5V @ 15V，50A
功率 - 大值	480W
开关能量	400µJ（开），480µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	146nC
25°C 时 Td（开/关）值	18ns/95ns
测试条件	400V，50A，2 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	35ns
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装	TO-264（IXGK）