SH-ST251A

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SH-ST251A数字式方阻测试仪

SH-ST251A数字式方阻测试仪
特点：
小型化设计，全自动量程，SH-ST251A参数输入全键盘式数字化，带有多档自动分选功能，特别适合半导体材料分选场合。
主要技术性能：
测量范围：
方块电阻：10-2-104/□
外形：180×200×70mm



SH-ST251数字式方阻测试仪
特点：
小型化设计，全自动量程，SH-ST251A参数输入全键盘式数字化，带有多档自动分选功能，特别适合半导体材料分选场合。
主要技术性能：
测量范围：
方块电阻：10-2-104/□
外形：180×200×70mm



鉴定仪  估计是这三个字 不能发

 ST-11型导电类型鉴定仪
特点：整流法
数码显示，带重掺判别，带讯响提示。
技术指标：可测ρ:0.01Ω～10KΩ


SX-1934(原SZ82)数字式四探针测试仪SX1934(原SZ-82) 详细信息
SX1934型(原SZ-82)数字式四探针测试仪(标准制定单位)      点击探头和测试架图片
SX－1934四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置。广泛用于半导体厂家、太阳能行业，还能满足科研单位的精密研究。 供应SX1934四探针测试仪。 
      产品特点 
四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M 标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）测试仪器。 
仪器以大规模集成电路为核心部件，采用旋扭式开关控制，及各种工作状态LED指示。应用微计算机技术，使得测量读数更加直观、快速。整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。 供应SX1934四探针测试仪。
  技术指标
型号

SX1934(SZ82)
测量范围

电阻率/Range：10-4—105Ω/□(可扩展/extended range) 方块电阻(薄层电阻) /Sheet resistance：10-3—106Ω/□ 电阻/resistance：10-6—105Ω
可测晶片直径（大）

φ100mm，方形230×220mm
大电阻测量误差(按JJG508-87)

0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω≤±0.3%读数±2个字
外形尺寸

400mm×440mm×120mm
仪器重量

电气主机：约4kg   测试台：约5kg
测试环境

温度：23±2℃ 相对湿度：≤65％； 无高频干扰 无强光照射
电源

220V±10%(50Hz) 功耗≤35W
备注

可以选配电脑接口



XX-2型方块电阻测试仪
XX-2型方块电阻测试仪,是XX型系列四探针方块电阻测试仪中的新一代产品,是一种依照类似的标准和美国A.S.T.M标准而设计,专门测量半导体薄层电阻(面电阻)的仪器.可用于测量一般半导体材料、导电薄膜(ITO透明氧化膜)……等同类物质的薄层电阻。 
特点：      供应XX2型方块电阻测试仪。
1、采用九十年代推出的大规模集成电路作为仪器的主要部分，测量准确稳定。 
2、以大屏幕LCD显示读数，直观清晰 
3、采用单个电池供电，带电池欠压指示 
4、体积≤175mmX92mm X42mm，重量≤300g 
5、可配台式探头和特制之手握式探头，对应可采用台式和手握式操作，使用简易 
6、带探头与被测物质接触良好指示(LED) 
7、单电源开关，推拉式探头－主机接插件，操作极其简便。 
技术指标 
测量范围：基本量程：方块电阻 1.00-199.99(?/口) 
          扩展量程: 方块电阻 10.0-1999.9(?/口) 
测量不确定度≤5% 
探针间距:1mm;偏差≤2%;游移率≤0.3%;绝缘电阻≥500 M? 
手握式探笔长度:约150mm或90mm;电缆联线长度:约1.5M   

 

SDY-6型双电测四探针测试仪
SDY-5双电测四探针测试仪
SDY4四探针测试仪
TZT-9D型四探针探头

     SDY-4四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试仪器。
   仪器以大规模集成电路为核心部件,应用模拟和数字控制技术,配备微型电动升降测试台：采用平面轻触式开关控制,及各种工作状态LED指示。整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。
   本仪器适用于测量半导体晶片电阻率，以及扩散层材料、离子注入层、异型外延层的方块电阻。也可测量在玻璃等绝缘材料上形成的器件的导电薄膜方块电阻。
技术指标
1  测量范围：电阻率：0.001-200?.cm(可扩展)。 方块电阻：0.01-2000?/口(可扩展)。
2  可测晶片直径(大)：100mm/150mm。
3   恒流源：电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调。误差<±0.3%
4  数字电压表：量程：0-199.99mV。       分辨率：10μV。显示：四位半红色发光管数字显示。极性、小数点、量程自动显示。输入阻抗>1000M?。       精度：±0.1%.
5  大电阻测量误差(按JJG508-87进行)：0.1?、1?、10?、100?小于等于0.3%±1字.
6  四探针探头：间距：1±0.01mm。针间绝缘电阻≥1000M?。机械游移率：≤0.3%
   探针压力：TZT-9C/9D  5-8 牛顿(力)
7  整机不确定度：(用硅标样片测试)≤5%  (0.01-180?.cm)
8  外形尺寸：电气主机：360×320×100mm；测试台：260×154×250mm
9  数据处理器：300×210×105mm
10   仪器重量：电气主机：约4kg；测试台：约10kg
11   测试环境：温度23±2℃；相对湿度≤65％；无高频干扰；无强光照射。
主要功能特点
1.测试数据自动保持(当该功能选择有效时)。
2.无样品数据自动显示为零(当该功能选择有效时)。
3.无外负载式电流调整。
4.恒流源电路正常自动显扎示。
5.电动测试台多种操作方法选择。


FJDY-1型非接触硅片电阻率测试仪
DSY-II型单晶寿命测试仪
          DSY-2单晶少子寿命测试仪--用于测量硅单晶的非平衡少 数载流子寿命。 它是检验半导体单晶质量的关键设备。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路 级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降 的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
DSY-2单晶少子寿命测试仪-- 主要技术性能：
* 测试单晶电阻率范围： >3Ω.cm；
* 可测单晶少子寿命范围： 20μS-5000μS；
* 配备光源类型：红外光源，波长：1.09μm；余辉<10 μS； 闪光频率为：20-30次／秒；
* 高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHz：
* 前置放大器：放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz；
* 仪器测量重复误差：<±20％；
* 测量方式：采用对标准曲线读数方式；
* 仪器消耗功率：<25W；


DLY-2导电类型测试仪   
技术指标
1、可判断硅材料的电阻率范围：
     温差电法：0.0001－104Ω.cm;
     整流  法: 0.01-104Ω.cm
2、硅单晶直径及长度：不受限制；
3、显示方式：用大型LED数码管分别直接显示；
4、探头：
   温差电法：采用冷热两根探笔，热笔为钨棒，冷笔为高速钢棒或钨棒；
   整流法：采用三根探针，用钨针或高速钢针；
5、电源及功耗：AC  220V±10%;  50Hz;功率<30W;
6、外形尺寸：主机 360X 365 X125mm；
7、使用环境： 温度：室温；相对湿度≤80％； 无高频干扰；无强光照射。

TD-C镀层电阻测量仪  
一、  产品简介
    本产品系我公司根据方块电阻定义，测量方法，自行研制开发的高科技产品。主要用于测量金属化薄膜（片）的方块电阻（也称为薄膜电阻），以测定薄膜镀层的厚度，特别适用于镀膜厂、电容器厂、半导体材料厂等单位使用。供应镀层电阻测量仪。
    本产品选用大规模集成电路，采用开关电源结构，备有弹性四探针探头，测量精度高，能快速测试，并且有重量轻、范围宽、携带方便、使用简单、可靠等优点。
二、  主要技术指标：
1、  测量范围：0~19.99Ω/□
2、  分辨率：10mΩ/□
3、  测量误差:±1%+2字
4、  显示方式：3 1/2 LCD或3 1/2 LED
5、  零点漂移：1字/24小时
6、  供电电源：AC87V~240V
7、  使用条件：环境温度≤40℃，相对湿度≤80%
8、  工作条件：24小时连续工作
9、  外形尺寸：210（mm）×180（mm）×85（mm）
10、净重：1.5kg

SX1903型PN类别鉴定仪是运用整流法原理鉴定半导体类别的仪器，同时兼备测试重掺的功能，适用于半导体、太阳能行业。 供应SX1903型PN类别鉴定仪、数字式四探针测试计。
  产品特点   
      本仪器由主机和探头等部件组成。PN类别由数码管显示，是否重掺由发光管和蜂鸣器提示，探头由四种形式，可根据需要选用。探针采用即插式，方便更换。(重掺可调) 。 供应SX1903型PN类别鉴定仪、数字式四探针测试计。
  详细参数
型号

SX1903
PN 鉴定范围

电阻率ρ=0.01～1000 Ω-cm； 材料尺寸 S≥ 3mm×5mm
重掺判别:鉴界限设定

电阻率ρ=0.01～0.02Ω-cm（可调）
材料尺寸

Smin= 3mm×5mm (三针探头/3 Pins probe head )
Smin= 3mm×3mm (二针探头或夹子/2 Pins probe head or clip)
Smin= 2mm×2mm (单针探头/Singel pin probe head)
探头参数

探针间距：1.8mm； 探头可配类型：三针式(标配)、二针式(选配)、单针式(选配)、夹子式(选配)
电 源

220V±10% 50Hz； 功 耗：<10W
工作环境

温 度 23℃±2℃； 相对湿度：60%～70%；工作室内应无强电磁场干扰
重 量

约1kg
外形尺寸

主机： 190mm（D）×225 mm（W）×90mm（H）；




SX-1934B型数字式四探针测试计   产品说明
      SX1934B型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置，它可以测量片状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率，测量扩散层的薄层电阻（亦称方块电阻）。换上特制的四探针测试夹具，还可以对金属导体的低、中值电阻进行测量，适用于半导体、太阳能行业的筛选。 供应SX-1934B型数字式四探针测试计。
  产品特点    
      仪器由主机、测试探头（可选配测试台）等部分组成，测试结果由数字表头直接显示。主机主要由数控恒流源，高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成，自动转换量程。测试探头高分子材料和高耐磨碳化钨探针制成，故定位准确、游移率小、寿命长。仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。(自动调零)。 供应SX1934B型数字式四探针测试计。
  详细参数
型号
SX1934B
测量范围
电阻率：10-2～102Ω-cm；方块电阻：10-1～103Ω/□；电阻：10-3～9999Ω
可测半导体材料尺寸
直径：Φ15～100mm； 长（或高）度： ≤400mm
电源
功 耗：<1W； 电源适配器：输入:220V±10% 50Hz； 输出:DC5V±10%
外形尺寸
主机 170mm（D）×130 mm（W）×50mm（H）

SRM-232型方块电阻测试仪根据不同的测量范围分成以下四种型号：SRM-232-10、SRM-232-100、SRM-232-1000、SRM-232-2000；
◆ 特点：
1
轻便手持式设计
2
127个数据测试点保存
3
通过RS-232与电脑通讯
 
◆ 技术指标：
SRM-232-10
测量范围： 0.000～9.999(Ω/□)
 分辨率：0.004(Ω/□)
SRM-232-100
测量范围：00.00～95.00(Ω/□)
 分辨率：0.04(Ω/□)
SRM-232-1000
测量范围0～1000(Ω/□)
 分辨率：0.4(Ω/□)
SRM-232-2000
测量范围：0～2000(Ω/□)
 分辨率：0.8(Ω/□)

ST-20掌上型方块电阻测试仪是一种依照类似的标准和美国A.S.T.M标准，专门测量半导体薄层电阻(面电阻)的仪器，可用于测量一般半导体材料、导电薄膜(ITO透明氧化膜)，金属薄膜……等同类物质的薄层电阻。
◆ 特点：
1
采用九十年代推出的大规模集成电路作为仪器的主要部分，测量准确稳定
2
低功耗
3
采用单个电池供电，带电池欠压指示
4
仪器体积仅为：130mmX65mm X23mm
5
特制之手握式探笔，球形探针、镀金探针有效接触被测材料及保护薄膜 




量一般半导体材料、导电薄膜(ITO透明氧化膜)……等同类物质的薄层电阻。
    

ST-21型方块电阻测试仪  
     ST-21型方块电阻测试仪是一种依照类似的标准和美国A.S.T.M标准，专门测量半导体薄层电阻(表面电阻)的仪器，可用于测量一般半导体材料、导电薄膜(ITO透明氧化膜)，金属薄膜……等同类物质的薄层电阻。 
    该仪器以大规模集成电路为主要核心；用基准电源和运算放大器组成高精度稳流源；带回路有效正常指示电路；并配以大型LCD显示读数，使仪器具有体积小、重量轻、外形美、易操作、测量速度快、精度高的特点。
◆ 特点：
1
采用大规模集成电路作为仪器的主要部分，测量准确稳定，低功耗；
2
以大屏幕LCD显示读数，直观清晰；
3
采用单个电池供电，带电池欠压指示；
4
体积≤175mm X90mm X42mm，重量≤300g；


LT-2单晶少子寿命测试仪  
     LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。
   本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。
LT-2 技术指标：
测试单晶电阻率范围 >2Ω.cm
 可测单晶少子寿命范围 5μS～7000μS
 配备光源类型 波长：1.09μm；余辉<1 μS；
 闪光频率为：20～30次／秒；
 闪光频率为：20～30次／秒；
 高频振荡源 用石英谐振器，振荡频率：30MHz
 前置放大器 放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz
 仪器测量重复误差 <±20％
 测量方式 采用对标准曲线读数方式
 仪器消耗功率 <25W
 仪器工作条件 温度： 10-35℃、 湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz
 可测单晶尺寸 断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
 纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
 配用示波器 频宽0—20MHz；
 电压灵敏：10mV／cm；

SX-1944数字式四探针测试仪SX1944四探针测试计
产品说明   
      四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置。广泛用于半导体厂家、太阳能行业，还能满足科研单位的精密研究。
  产品特点   
      四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法标准并参考美国A.S.T.M 标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）测试仪器。  
    仪器以大规模集成电路为核心部件，采用旋扭式开关控制，及各种工作状态LED指示。应用微计算机技术，使得测量读数更加直观、快速。整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。 供应SX1944四探针测试仪。
  技术指标
型号

SX1944
测量范围

电阻率：10-4～105Ω-cm 方块电阻：10-3～106Ω/□ 电阻：10-4～105Ω
可测半导体材料尺寸

直径：Φ15～100mm
测量方位

轴向、径向均可
数字电压表

⑴量程： 200mV
⑵误差：± 0.1% 读数± 2 字
⑶大分辨力：10μV
显示:4位半数字显示。小数点自动显示
数控恒流源

⑴电流输出：直流电流 0 ～ 100mA 连续可调，由交流电源供电。
⑵量程： 1 μ A ， 10 μ A ， 100μA ， 1mA ， 10mA ， 100mA
⑶误差：± 0.5% 读数± 2 字
四探针测试探头

⑴探 针 间 距： 1mm
⑵探针机械游移率： ± 1.0%
⑶探 针： 碳化钨，Φ 0.5mm
⑷压 力： 0 ～ 2kg 可调 , 大压力约 2kg
电源

输入 : AC 220V ± 10% 50Hz 功 耗： <20W
外形尺寸

主机 260mm （长）× 210 mm （宽）× 125mm （高） 

Metal Comdux 2010多功能导电率测试器Comdux-2010导电率测试仪  
特性: 
数位式可表示非铁金属15~110%IACS的导电率值。
指针部位可表示铝合金的硬化程度、异材判别、及由热处理、热损伤、热影响所产生之导电率的 
 差异判别。
测头接触部使用耐磨耗陶瓷环增强耐久性。
本机包含4片标准片，可以简易正确确认机器精度，适合一般现场及品质管理之品质提升。

SX-1934C型数字式四探针测试计 
    产品说明   
      SX1934C型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量装置，它可以测量片状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率，测量扩散层的薄层电阻（亦称方块电阻）。换上特制的四探针测试夹具，还可以对金属导体的低、中值电阻进行测量，适用于半导体、太阳能行业的筛选。
  产品特点   
      仪器由主机、测试探头（可选配测试台）等部分组成，测试结果由数字表头直接显示。主机主要由数控恒流源，高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成，自动转换量程。测试探头高分子材料和高耐磨碳化钨探针制成，故定位准确、游移率小、寿命长。仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、测量简便、结构紧凑、使用方便等特点。(自动调零) 。  SX1934C型数字式四探针测试计。
  详细参数
型号

SX1934C
测量范围

电阻率：10-2～102Ω-cm；方块电阻：10-1～103Ω/□；电阻：10-3～9999Ω
电源

交直流两用（内置锂电池）功 耗：<1W； 电源充电器：输入:220V±10% 50Hz； 输出:DC5V±10%
外形尺寸

主机 173mm（D）×80 mm（W）×30mm（H）

台湾全信电子仪器有公司

地址：厦门市湖里区联发电子工业区

联络人：李丽  电话忙线请加QQ号码:1816418279
电话：0592-5632640  
手机：15259256976
传真：0592-5632644