销量好日本SUNX微型激光位移传感器HG-C1200-P

发布时间:2019-01-24

  销量好日本SUNX微型激光位移传感器HG-C1200-P

  另外,在2个基准值范围内即判为OK,

  传感器的进深方向会变长,机身形状也会变大

  采用同时兼顾轻量与强度的铝铸外壳。

  不仅能以mm为单位显示数值,还能读取模拟输出数值。

  存在检测物体的状态下,只需按下 “

  出范围即判为NG,1个输出即可做出判定。

  一般通过延长受光部分与受光元件(CMOS)之间的光路长度,

  还能执行各种运算,并存储(记录)测量值。

  并缩短进深方向的尺寸,

  同时又可实现与变位传感器相媲美的高精度测量。

  采用铝铸外壳,使机身免受变形和温度的困扰

  全新设计的内部反射镜设置

  设计出内部安装有镜面的光学系统

  用测距传感器规定测定值 直线性:±0.1%F.S.※1

  ※1 : HG-C1030/HG-C1050/HG-C1100的情况

  TEACH”键,即可简单地设定基准值。

  设置上限值和下限值,

  从而可获得精度更高、更稳定的测量值,但是另一方面,

  读入到PLC+模拟量单元,

  针对与检测物体基准面之间的距离,

  HG-C系列设计出内部安装有反射镜的光学系统,

  温度特性:0.03%F.S./℃

  从而减少外壳变形和温度等不稳定因素对测量精度所产生的影响。

  虽然尺寸小巧,但是机身坚固,

  想要通过上下限的范围 进行判别时,使用该方式。

种类测量中心距离200mm型测量中心距离400mm型

NPN
输出
HG-C1200HG-C1400
PNP
输出
HG-C1200-PHG-C1400-P
符合规则及EMC适合指令、FDA规则、UL/c-UL(注6)
测量中心距离200mm400mm
测量范围±80mm±200mm
重复精度200μm300μm(测量距离200~400mm)
800μm(测量距离400~600mm)

直线性±0.2%F.S.±0.2%F.S.(测量距离200~400mm)
±0.3%F.S.(测量距离400~600mm)

温度特性0.03% F.S./℃
光源红色半导体激光 2级[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
大输出:1mW、投光波峰波长:655nm

光束直径
(注3)
约ø300μm约ø500μm
电源电压12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下
消耗电流(注4)40mA以下(电源电压24V DC时)、65mA以下(电源电压12V DC时)
控制输出
NPN开路集电极晶体管
・ 大流入电流:50mA
・外加电压:30V DC以下(控制输出-0V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下


PNP开路集电极晶体管
・ 大流入电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-+V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下

 输出动作入光时ON/非入光时ON 可切换
短路保护配备(自动恢复)
模拟输出模拟电压输出・输出范围:0~5V(报警时:+5.2V)
・输出阻抗:100Ω
模拟电流输出(注5)・输出范围:4~20mA(报警时:0mA)
・输出阻抗:300Ω
反应时间1.5ms/5ms/10ms 可切换
外部输入〈NPN输出型〉
NPN无接点输入
・输入条件
无效:+8~+V DC或开路
有效:0~+1.2V DC
・输入阻抗:约10kΩ


PNP无接点输入
・输入条件
无效:0~+0.6V DC或开路
有效:+4~+V DC
・ 输入阻抗:约10kΩ

污损度2
使用标高2,000m以下



保护构造IP67(IEC)
使用环境
温度
-10~+45℃(注意不可结露、结冰)、储存时:-20~+60℃
使用环境
湿度
35%RH~85%RH、储存时:35%RH~85%RH
使用环境
照度
白炽灯:受光面照度3,000 lx以下
耐振动耐久10~55Hz(周期1分钟)  双振幅1.5mm  XYZ各方向2小时
耐冲击耐久500m/s2(约50G)  XYZ各方向3次
电缆0.2mm2 5芯复合电缆,长2m
延长电缆0.3mm2以上电缆 多延长至全长10m

材质本体外壳:压铸铝 前罩:丙烯基
重量本体重量:约35g(不含电缆),约85g(含电缆)


(注1):未测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC 环境温度:+20℃ 响应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。
(注2):根据FDA规则中Laser Notice No.50(2007.6.24)规定,以FDA规则(21 CFR 1040.10以及1040.11)为基准。
(注3):测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。
如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。
(注4):从2016年6月的产品开始进行规格变更。
2016年5月前的产品: 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)
(注5):从2016年6月的产品开始追加了模拟电流输出功能。
(注6):自2017年3月的产品开始符合UL/c-UL。

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