LAHR WPM311.03401

LAHR  WPM311.03401产品介绍

LAHR  WPM311.03401，由厦门雄霸电子商务有限公司销售，厦门雄霸电子商务有限公司是一家从事全球（DCS系统）（机器人系统）（大型伺服控制系统）模块 备件销售,公司产品内容为分布式控制系统(DCS) 、可编程序控制器(PLC)、 MOTOROLA MVME工业用模组 、工业控制通訊转换器(Anybus) 、远端输出/输入模块(RTU) 、工业电脑(IPC)、 工业用低頻萤幕(IPC) 、人机界面SCSI(50、68、80Pin) AnyBus(Gateway)现已成一家全球性的工业自动化备件及零部件的销售企业。

在海量的固态存储技术已经非常广泛应用、云存储正在盛行的，还有一种KB、MB量级的存储技术大卖，并且在物联网、医疗电子、消费电子、工业电子……几乎所有的行业中无处不在。这种存储技术就是铁电存储器（FRAM）。在近日于深圳举办的易维讯年度ICT媒体论坛上，富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇分享了FRAM产品在应用中的技术特性优势，特别是FRAMRFID和FRAM方面众多的创新应用案例对电子产品的设计具有很好的创新启发，受到与会嘉宾的关注。

DEMO演示FRAM特性——“多、快、省”

拥有15年FRAM量产经验的富士通半导体，已经走在技术与市场的前列。而我们将从一个现场Demo演示开始，为您呈现FRAM的性能优势。如下图2所示，为富士通半导体的FRAM和EEPROM性能对比Demo演示图。

演示本身并不复杂，一个照相机实时拍一张照片，然后将照片分别存储到EEPROM和FRAM中，直观的比较图像数据写入过程中EEPROM和FRAM的性能差异。在此演示中，采用并口传输数据，FRAM大概用了0.19秒存储数据，而EEPROM大概用了6.23秒；FRAM存储数据的比特率约为808kB/s，而EEPROM存储数据的比特率约为24kB/s；功耗方面，FRAM约为0.4mWs,而EEPROM约为61.7mWs。FRAM的快速读写和低功耗特性显而易见。

“‘多’、‘快’、‘省’可以形象的概括出FRAM的特点。‘多’指的是FRAM的高读写耐久性（1万亿次）的特点，可以频繁记录操作历史和系统状态；‘快’指的是FRAM的高速烧写（是EEPROM的40000倍）特性，这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题；‘省’指的是FRAM低功耗（是EEPROM的1/1,000）特性，特别是写入时无需升压。”蔡振宇指出。

FRAM除了和EEPROM相比具有明显优势外，其相比其他的存储器，如FLASH和SRAM，也在性能上更胜一筹，如下图3所示，为其性能比较。