回收并维修西门子冗余模块
发布时间:2019-05-15
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上海泽旭自动化设备有限公司维修伺服,变频器,PLC,触摸屏,电路板等 。
我公司主要三菱,安川,艾默生,山洋,LG(LS)产电,神港仪表,A-B, WEST仪表,松下,穆勒,海利普,欧瑞,富士,欧姆龙, ABB,经销费斯托,台达,明纬,三垦,费斯托,博士力士乐(康沃),lenze,东芝,明电舍东崎TOKY, 施克SICK,等,同时我司渠道资源丰富,很多停产缺货产品我司或可调拨,欢迎新老客户垂询!
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静态特性
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高,Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。高栅源电压受大漏极电流限制,其佳值一般取为15V左右。IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。通态电流Ids 可用下式表示:Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流过MOSFET 的电流。由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ~ 3V 。IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在