IGBT综合特性测试仪
一：主要特点
华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至1600A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现的在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；
测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。
二：华科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT测试仪应用范围
A：IGBT单管及模块，
B：大功率场效应管（Mosfet）
C：大功率二极管
D：标准低阻值电阻
E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测
三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：大脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
H: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
|
序号 |
测试项目 |
描述 |
测量范围 |
分辨率 |
精度 |
|
1 |
VF |
二极管正向导通压降 |
0~20V |
1mV |
±1%,±1mV |
|
2 |
IF |
二极管正向导通电流 |
0~1200A |
≤200A时,0.1A |
≤200A时,±1%±0.1A |
|
3 |
＞200A时,1A |
＞200A时,±1% |
|||
|
4 |
Vces |
集电极-发射极电压 |
0~5000V |
1V |
±1%,±1V |
|
5 |
Ic |
通态集电极电流 |
0~1200A |
≤200A时,0.1A |
≤200A时,±1%±0.1A |
|
6 |
＞200A时,1A |
＞200A时,±1% |
|||
|
7 |
Ices |
集电极-发射极漏电流 |
0~50mA |
1nA |
±1%,±10μA |
|
8 |
Vgeth |
栅极-发射极阈值电压 |
0~20V |
1mV |
±1%,±1mV |
|
9 |
Vcesat |
集电极-发射极饱和电压 |
0~20V |
1mV |
±1%,±1mV |
|
10 |
Igesf |
正向栅极漏电流 |
0~10uA |
1nA |
±2%,±1nA |
|
11 |
Igesr |
反向栅极漏电流 |
|||
|
12 |
Vges |
栅极发射极电压 |
0~20V |
1mV |
±1%,±1mV |
华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。
