三菱MDS-A-V2-3535货源充足

        三菱MDS-A-V2-3535货源充足

zexu190613

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上海泽旭自动化设备有限公司维修伺服，变频器,PLC，触摸屏，电路板等 。
我公司主要三菱，安川，艾默生，山洋，LG(LS)产电，神港仪表，A-B， WEST仪表，松下，穆勒，海利普，欧瑞，富士，欧姆龙, ABB，经销费斯托，台达，明纬,三垦，费斯托，博士力士乐（康沃），lenze，东芝，明电舍东崎TOKY， 施克SICK，等，同时我司渠道资源丰富，很多停产缺货产品我司或可调拨，欢迎新老客户垂询！
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上海泽旭自动化设备有限公司是一家集工控产品销售、自动化工程设计、开发、改造为一体的高新科技企业。我公司拥有的技术队伍，针对多种行业自动化的工艺控制需求，提供可靠、高效的技术服务和自动化整体解决方案。已经为客户在产品性能检测、自动化生产线、印染机械、空调设备、玻璃机械、电子设备、喷涂、教学设备、电线电缆、节能设备改造、等方面开发、设计、改造了众多自动化设备及的自动化控制系统，并为其提供周到的-和售前、 售中、售后一条龙服务，受到客户的一致好评。新的世纪，我们将一如继往、精益求精，为广大客户服务；为自动化技术在的推广应用作不懈努力,从根本上为客户创造价值，实现预期效果，我们将成为客户-、-快捷、-的销售和增值服务商。以-优的价格和优良的信誉，期待与您的真诚合作！   

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1.3  采用新的硅片技术的试验结果
结合水冷散热器，在如下条件下通过实验验证了大功率J1系列650V/1000A IGBT模块的功率处理能力：电池电压=450V，PWM开关频率=5kHz/10kHz，冷却水温度（Tw）=65℃，冷却水流速=10L/min，热阻IGBT-Rth(j-w)取大值，IGBT特性参数取典型值。类似地，大功率J1系列1200V/600A IGBT模块的实验条件如下：电池电压=600V，PWM开关频率=5kHz/10kHz，冷却水温度（Tw）=65℃；冷却水流速=10L/min，热阻IGBT-Rth(j-w)取大值，IGBT特性参数取典型值。
在这些应用条件下，650V/1000A模块在其高运行结温低于150℃的情况下的大逆变输出电流可过600Arms（相应逆变器输出功率可过120kW）。而1200V/600A模块在其高运行结温低于150℃的情况下的大逆变输出电流可过400Arms（相应逆变器输出功率可过120kW）。这些实验结果如图8和图9所示。
如此有吸引力的良好结果是通过采用新的第7代CSTBTTM和RFC二极管硅片技术而得到的。IGBT技术的进步一直受到对更高功率密度和更高效率的持续需求的驱动，这反映在通过采用改进内部结构来达到优化众所周知的饱和压降VCE(sat)vs. 关断损耗Eoff折衷性能之目的的逐代IGBT硅片性能的进步上。通过在IGBT硅片结构上增加额外的载流子层，CSTBTTM硅片能通过同时减少饱和压降和关断损耗来达到更高的效率。第7代IGBT 硅片进一步优化CSTBTTM的饱和压降VCE(sat) vs.关断损耗Eoff折衷性能，如图10所示，它归纳了新一代IGBT硅片性能的持续改进。考虑到J1系列创封装设计导致的紧凑性（功率模块体积小于0.68升），通过采用第7代IGBT硅片来实现高功率密度是显而易见的。
2、结 论
已开发的高功率密度IGBT模块“大功率J1系列”被用来满足逐步发展的电动汽车和混动汽车市场要求。大功率J1系列IGBT模块做到了性能高、自感低、封装紧凑和重量轻，这些有吸引力的特点是通过结合优化的封装结构技术和的硅片技术（第7代CSTBTTM 和RFC二极管）来实现的。而言之，大功率J1系列IGBT模块能实现寛范围逆变器运行，从而满足不同种类的电动汽车和混动汽车的应用要求。MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在10-100pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，由于栅极电容Cgs较大。一般在1-100nF之间，因而需要较大的动态驱动功率。更由于漏极到栅极的密勒电容Cdg，栅极驱动功率往往是不可忽视的。