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12.雪崩二极管(Avalanche Diode)
它是在外加电压作用下可以产生-频振荡的晶体管。产生-频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生-频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13.江崎二极管(Tunnel Diode)
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是-掺杂的(即-浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声-频放-器及-频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于-速开关电路中。
14.快速关断(阶跃恢复)二极管(Step Recovary Diode)
它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是:在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区,从而形成"自助电场"。由于PN结在正向偏压下,以少数载流子导电,并在PN结附近具有电荷存贮效应,使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至-小值(反向饱和电流值)。阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和-次谐波电路中。
15.肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode)
二极管电路
二极管电路
它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结-得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是-频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
3、反向电流Idrm
反向电流是指二极管在常温(25℃)和--反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,-约温度每升-10℃,反向电流增-一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升-到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升-到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在-温下具有较好的稳定性。
4.动态电阻Rd
二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。
5--工作频率Fm
Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的-小。若是过此值。则单向导电性将受影响。
6,电压温度系数αuz
αuz指温度每升-一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好
参数符号
CT---势垒电容
Cj---结(极间)电容, ;表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的--工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的--正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF(AV)---正向平均电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向--电流)。在额定功率下,允许通过二极管的--正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- ;发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与***基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM-----输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流