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贴片二极管
贴片二极管
较小的电流（不过几十毫安），适用于-频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较-，允许通过较-的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较-的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及-频电路中。
检测方法
检测小功率晶体二极管
A.判别正、负电极
(a)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
(c)以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。
(d)观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。
B.检测--反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此--反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
检测双向触发二极管
将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万同样的方法测出VBR值。-后将VBO与VBR进行比较，两者的*值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。
瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测
A.用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷-。
对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷-，否则，说明管子性能不良或已经损坏。
(1)采样周期和采样时机
1)采样周期的选择在电网中-次谐波分量不-的情况下，采样周期可选取8次、12次等低速率方式，这对单片机及其设备的要求较低，数据处理也简单；如果电网中-次谐波分量较-，这时就必须提-采样速率。
2)采样的时机选择特别是在低速率采样方式中，如果采样时机恰好在-次谐波的峰谷点，将对精度有很-的影响。所以，在器件和技术允许范围内，应尽量提-采样频率，这样对电网中的干扰影响起抑制作用。
(2)铁芯非线性补偿单片机交流采样变送器能实现分段对铁芯的非线性补偿。根据精度要求和铁芯本身的特性，对每个铁芯有一个相对应的补偿曲线，并且可以实现分段补偿。
(3)铁芯磁滞角度的补偿 由于单片机具有存储功能，铁芯的磁滞角补偿变得很简单。在对铁芯进行磁滞角测量后，把每个铁芯的磁滞角度存入单片机，通过程序作相移处理。这种补偿完全可
桥式整流模块，采用进口方形芯片、-级芯片支撑板，经特殊烧结工艺，保证焊接层无空洞，使用更可靠。
目录
1 桥式整流模块
2 应用接线图
3 桥式整流模块注意事项
桥式整流模块编辑
采用DCB板及其它-级导热绝缘材料，导热性能好，导热基板不带电（MDY2000型模块除外），保证使用安全。
热循环负载次数过*标准，使用寿命长。
广泛应用于电解、电镀、励磁及各种直流用电场合。
应用接线图编辑
（1）散热底板为六只整流管的共阳极。
（2）模块的六个电极连接着每只整流管的阴极，也是每只管子的交流输入端。
（3）为充分提-此模块的输出功率，应采用平衡电抗器。电抗器的参数应根据负载-小自行确定。
桥式整流模块注意事项编辑
1.模块电流规格的选取
根据负载性质及额定电流按模块--输出电流IT值，进行如下选取：
（1）阻性负载：模块--电流应为负载额定电流的2倍。
（2）感性负载：模块--电流应为负载额定电流的3倍。
（3）若负载电流变动较-，电流倍数适当增加。
（4）保证整个运行过程中，负载实际工作电流不能过模块标称的--输出电流。
A.识别管脚极性
(a)从外观上识别。常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正极和负极。另外在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面，通常带有此斜切平面一端的引脚为负极，另一端为正极。
(b)先用万用表判别普通二极管正、负电极的方法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一-一小。以阻值较小的一次为准，红表笔所接的管脚步为负极，黑表笔所接的管脚为正极。
B.检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的-小，即可初步判定红外接收二极管的好坏。
激光二极管的检测
A.按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要-，所以检测正向电阻时，万用表指针公略微向右偏转而已。 [2]
构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
点接触型
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于-频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于-电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。
面接触型
面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的，由于这种二极管的PN结面积-，可承受较-电流，但极间电容也-。这类器件适用于整流，而不宜用于-频率电路中。
键型
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔金或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不-于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
合金型
在N型锗或硅的单晶片上，通过加入合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于-电流整流。因其PN结反向时静电容量-，所以不适于-频检波和-频整流。
扩散型
在-温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于-电流整流。- 近，使用-电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
台面型
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎-电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以*为是稳定性好和寿命长的类型。-初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于-电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
合金扩散型
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造-灵敏度的变容二极管。
外延型
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常-的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造-灵敏度的变容二极管。
肖特基
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极管和低压-电流整流二极管。
用途分类
