ANSON安颂叶片泵VP5F-B3-50人气爆款
上海泽旭自动化设备有限公司主要三菱，安川，艾默生，山洋，LG(LS)产电，神港仪表，A-B，WEST仪表，松下，穆勒，海利普，欧瑞，富士，欧姆龙,ABB，经销费斯托，台达，明纬,三垦，费斯托，博士力士乐（康沃），lenze，东芝，明电舍东崎TOKY，施克SICK，等，同时我司渠道资源丰富，很多停产缺货产品我司或可调拨，欢迎新老客户垂询！
同时本公司拥有维修技术团队，长期维修并回收各大的伺服电机，伺服驱动器，传感器，变频器,PLC，触摸屏，电路板等。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM-----正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向--瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的--工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM-----稳压电流。在--耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向瞬时电流
iR---反向瞬时电流
ir---反向恢复电流
Iop---工作电流
Is---稳流二极管稳定电流
f---频率
n---电容变化指数；电容比
Q---优值（品质因素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK-----开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不-于150度所能承受的--功率
PMP-----漏过脉冲功率
PMS-----承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---耗散功率
Pomax-----输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM-----耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的--功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth----热阻
R(th)ja----结到环境的热阻
Rz(ru)---动态电阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r ；δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
Tj---结温
Tjm-----结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△ ；λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与*基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM-----正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM-----输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（--测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压、死区电压）
A.识别管脚极性
(a)从外观上识别。常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正极和负极。另外在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面，通常带有此斜切平面一端的引脚为负极，另一端为正极。
(b)先用万用表判别普通二极管正、负电极的方法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一-一小。以阻值较小的一次为准，红表笔所接的管脚步为负极，黑表笔所接的管脚为正极。
B.检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的-小，即可初步判定红外接收二极管的好坏。
激光二极管的检测
A.按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要-，所以检测正向电阻时，万用表指针公略微向右偏转而已。 [2]
构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
点接触型
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于-频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于-电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。
面接触型
面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的，由于这种二极管的PN结面积-，可承受较-电流，但极间电容也-。这类器件适用于整流，而不宜用于-频率电路中。
键型
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔金或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不-于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
合金型
在N型锗或硅的单晶片上，通过加入合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于-电流整流。因其PN结反向时静电容量-，所以不适于-频检波和-频整流。
扩散型
在-温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于-电流整流。- 近，使用-电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
台面型
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎-电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以*为是稳定性好和寿命长的类型。-初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于-电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
合金扩散型
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造-灵敏度的变容二极管。
外延型
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常-的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造-灵敏度的变容二极管。
肖特基
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极管和低压-电流整流二极管。
用途分类
