产品发布-新品特卖-三菱伺服HC102S-SX

发布时间:2019-07-15

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电压测量法将万用表置于1V直流电压档,黑表笔接光敏二极管的负极,红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有0.2~0.4V电压(其电压与光照强度成正比)。
电流测量法将万用表置于50μA或500μA电流档,红表笔接正极,黑表笔接负极,正常的光敏二极管在白炽灯光下,随着光照强度的增加,其电流从几微安增-至几百微安。
激光
阻值测量法拆下激光二极管,用万用表R×1k或R×10k档测量其正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为20~40kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷-)。若测得正向电阻值已过50kΩ,则说明激光二极管的性能已下降。若测得的正向电阻值-于90kΩ,则说明该二极管已严重老化,不能再使用了。
电流测量法用万用表测量激光二极管驱动电路中负载电阻两端的电压降,再根据欧姆定律估算出流过该管的电流值,当电流过100mA时,若调节激光功率电位器(见图4-76),而电流无明显的变化,则可判断激光二极管严重老化。若电流剧增而失控,则说明激光二极管的光学谐振腔已损坏。
变容
正、负极的判别有的变容二极管的一端涂有黑色标记,这一端即是负极,而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环,红色环的一端为正极,黄色环的一端为负极。 也可以用数字万用表的二极管档,通过测量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管,在测量其正向电压降时,表的读数为0.58~0.65V;测量其反向电压降时,表的读数显示为溢出符号“1”。在测量正向电压降时,红表笔接的是变容二极管的正极,黑表笔接的是变容二极管的负极。


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性能好坏的判断用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管的正、反向电阻值。正常的变容二极管,其正、反向电阻值均为∞(无穷-)。若被测变容二极管的正、反向电阻值均有一定阻值或均为0,则是该二极管漏电或击穿损坏。
双基极
电极的判别将万用表置于R×1k档,用两表笔测量双基极二极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值,会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ,这两个电极即是基极B1和基极B2,另一个电极即是发射极E。再将黑表笔接发射极E,用红表笔依次去接触另外两个电极,一般会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中,红表笔接的是基极B2,另一个电极即是基极B1。
性能好坏的判断双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用万用表R×1k档,将黑表笔接发射极E,红表笔依次接两个基极(B1和B2),正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E,黑表笔依次接两个基极,正常时阻值为无穷-。 双基极二极管两个基极(B1和B2)之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范围内,若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较-时,则说明该二极管已损坏。



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正、负极性的判别红外发光二极管多采用透明树脂封装,管心下部有一个浅盘,管内电极宽-的为负极,而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断。通常,靠近管身侧向小平面的电极为负极,另一端引脚为正极。长引脚为正极,短引脚为负极。 2.性能好坏的测量用万用表R×10k档测量红外发光管有正、反向电阻。正常时,正向电阻值约为15~40kΩ(此值越小越好);反向电阻-于500kΩ(用R×10k档测量,反向电阻-于200 kΩ)。若测得正、反向电阻值均接近零,则说明该红外发光二极管内部已击穿损坏。若测得正、反向电阻值均为无穷-,则说明该二极管已开路损坏。若测得的反向电阻值远远小于500kΩ,则说明该二极管已漏电损坏。Rac电子资料网
红外光敏
将万用表置于R×1k档,测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10 kΩ左右,反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷-,则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。 在测量红外光敏二极管反向电阻值的同时,用电视机遥控器对着被测红外光敏二极管的接收窗口(见图4-75)。正常的红外光敏二极管,在按动遥控器上按键时,其反向电阻值会由500 kΩ以上减小至50~100 kΩ之间。阻值下降越多,说明红外光敏二极管的灵敏度越-。
其他光敏
电阻测量法用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口,然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值在10~20kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷-)。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷-,则是该光敏二极管漏电或开路损坏。 再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源,然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时,正、反向电阻值均应变小,阻值变化越-,说明该光敏二极管的灵敏度越-。



齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在-掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较-时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键,产生电子-空穴对,致使电流急剧增-,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
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HC-RFS503B
HC-UFS13B
HC-UFS23B
HC-UFS43B
HC-UFS73B
HC-UFS72B
HC-UFS152B
HC-UFS202B
HC-UFS352B
HC-UFS502B
MR-J2S系列
MR-J2S-11KA
MR-J2S-15KA
MR-J2S-22KA
MR-J2S-30KA
MR-J2S-37KA
MR-J2S-11KB
MR-J2S-15KB
MR-J2S-22KB
MR-J2S-30KB
MR-J2S-37KB
HA-LFS502
 HA-LFS702
 HA-LFS11K2
 HA-LFS15K2
 HA-LFS22K2 
HA-LFS11K2B
HA-LFS15K2B 
HA-LFS22K2B 
HA-LFS601 
HA-LFS801 
HA-LFS12K1
 HA-LFS15K1
HA-LFS20K  
HA-LFS25K1 
 HA-LFS601B 
HA-LFS801B 
HA-LFS12K1B 
HA-LFS701M
HA-LFS11K1M 
HA-LFS15K1M
 HA-LFS22K1M 
HA-LFS701MB 
HA-LFS11K1MB 
HA-LFS15K1MB
MR-J2S-60A4/B4 
MR-J2S-100A4/B4
 MR-J2S-200A4/B4 
MR-J2S-350A4/B4
MR-J2S-500A4/B4 
MR-J2S-700A4/B4 
MR-J2S-11KA4/B4 
MR-J2S-15KA4/B4
MR-J2S-22KA4/B4
 MR-J2S-30KA4/B4
 MR-J2S-37KA4/B4
 MR-J2S-45KA4/B4
MR-J2S-55KA4/B4
HC-SFS524
HC-SFS524B
 HC-SFS1024 
HC-SFS1024B
 HC-SFS1524
 HC-SFS1524B
HC-SFS2024
 HC-SFS2024B
  HC-SFS3524
 HC-SFS3524B
 HC-SFS5024
HC-SFS5024B
 HC-SFS7024
 HC-SFS7024B
 HA-LFS6014
 HA-LFS6014B
HA-LFS8014
 HA-LFS8014B
 HA-LFS12K14
 HA-LFS12K14B
 HA-LFS15K14
HA-LFS20K14
 HA-LFS25K14
 HA-LFS701M4 
HA-LFA701M4B
HA-LFS11K1M4 

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