市场分析-货源充足-三菱伺服OHA25K-85
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zexu190715
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晶体管促进并带来了"固态"，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨-的经济效益。由于晶体管改变了电子线路的结构，集成电路以及-规模集成电路应运而生，这样制造像-速电子计算机之类的-精密装置就变成了现实。
折叠编辑本段工作原理
折叠理论原理
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用-多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，(其中，N是负极的意思(代表英文中Negative)，N型半导体在-纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思(itive)是加入硼取代硅，产生-量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放-原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。如右图所示
当b点电位-于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位-于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要-于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度-于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基-于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子-部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较-的Ic，这就是所谓电流放-作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即:
β1=Ic/Ib
式中:β1--称为直流放-倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放-倍数，由于低频时β1和β的数值相差不-，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
α1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流-小)
式中:α1也称为直流放-倍数，一般在共基极组态放-电路中使用，描述了射极电流与集电极电流的关系。
α =△Ic/△Ie
表达式中的α为交流共基极电流放-倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不-。
对于两个描述电流关系的放-倍数有以下关系
三极管的电流放-作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨-变化。
三极管是一种电流放-器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放-作用转变为电压放-作用。
折叠放-原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放-能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很-，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
折叠编辑本段产品分类
a.按材质分: 硅管、锗管
b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
d. 按功率分:小功率管、率管、-功率管
e.按工作频率分:低频管、-频管、频管
f.按结构工艺分:合金管、平面管
g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管
折叠编辑本段产品参数
折叠特征频率fT
:当f= fT时,三极管完全失去电流放-功能.如果工作频率-于fT,电路将不正常工作.
fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及-频电流放-倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升-，放-倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.
折叠电压/电流
用这个参数可以该管的电压电流使用范围.
折叠hFE
电流放-倍数.
折叠VCEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
折叠PCM
--允许耗散功率.
折叠封装形式
该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
折叠编辑本段判断类型
三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图:
三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时(以数字万用表为例，红笔+，黑笔-)我们将测试档位切换至 二极管档 (蜂鸣档)标志符号如右图:
正常的NPN结构三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的正向电阻是430Ω-680Ω(根据型号的不同，放-倍数的差异，这个值有所不同)反向电阻无穷-;正常的PNP 结构的三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷-。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷-。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右(-功率管比较明显)，如果出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，-功率电路和-频电路对这种劣质元件反应比较明显。
